Держиев Василий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Получение высокообогащенного изотопа ¹⁷⁶Yb в весовых количествах методом лазерного разделения изотопов в атомном паре
   
   Квантовая электроника, 36:1 (2006),  84–89
2. Изотопически-селективная фотоионизация палладия
   
   Квантовая электроника, 33:6 (2003),  553–558
3. Двухступенчатая фотоионизация палладия
   
   Квантовая электроника, 32:7 (2002),  619–622
4. Роль спектрального контраста лазерного излучения при выделении иттербия-168 в весовых количествах
   
   Квантовая электроника, 25:3 (1998),  287–288
5. Лазерное выделение высокообогащенного иттербия-168 в весовых количествах
   
   Квантовая электроника, 23:9 (1996),  771–772
6. Кинетическая модель ArF-лазера
   
   Квантовая электроника, 19:5 (1992),  486–491
7. Исследование широкополосного излучения в инертных газах
   
   Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1419–1423
8. Инверсная населенность на новых переходах атома неона в видимой области спектра
   
   Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1283–1284
9. Расчет коэффициентов усиления в лазерной плазме CVI при разлете цилиндра и цилиндрического слоя
   
   Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1050–1053
10. Расчет усиления на переходе 4–3 иона Al XIII в разлетающейся лазерной плазме цилиндрической геометрии при ультракоротких импульсах накачки
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1006–1007
11. Многоволновая генерация в смеси Аг–Хе, накачиваемой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  985–988
12. Формирование усиленного спонтанного излучения в разлетающейся лазерной плазме с учетом рефракции
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  753–755
13. Накачиваемая излучением сильноточного разряда бериллиевая плазма как активная среда на λ = 117,0 нм
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  718–720
14. Спектры резонансных линий Н-подобных ионов в оптически плотной плазме
    
    Квантовая электроника, 17:3 (1990),  340–344
15. Излучение резонансных линий и инверсия населенностей на уровнях водородоподобных ионов в рекомбинирующей лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  232–236
16. Расчет энергетических характеристик широкоапертурных эксиплексных лазеров
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  147–149
17. Не–Cd-лазер высокого давления, накачиваемый наносекундным электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2039–2046
18. Кинетическая модель пеннинговского Ne-лазера на пучковой He–Ne–Ar и Ne–H₂-плазме
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1579–1586
19. Кинетика населенностей и спектральный коэффициент усиления для релятивистского водородоподобного иона
    
    Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1364–1370
20. Кинетика рекомбинационно-неравновесной He–H₂-плазмы в разряде пучкового типа
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1184–1189
21. Плазменный Ar-лазер (344,3 нм) со столкновительной очисткой нижнего рабочего уровня молекулами азота
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  647–648
22. Плазменный Ne–H₂-лазер на СВЧ разряде
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  486–488
23. Кинетическая модель активной среды XeCl-лазера с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 16:2 (1989),  278–280
24. He$-$Cd-лазер с $\lambda=442$, 534, 538 нм, накачиваемый наносекундным электронным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  18–21
25. Роль реабсорбции в экспериментах по наблюдению усиления в разлетающейся лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  412–421
26. Пеннинговский плазменный лазер на неоне с накачкой малогабаритным ускорителем
    
    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  108–111
27. Эффект задержки послесвечения реабсорбированной линии $\mathrm{H}_\alpha$ в разлетающейся лазерной плазме
    
    Докл. АН СССР, 294:3 (1987),  588–591
28. О переохлаждении плазмы многозарядных ионов на фронте ионизующего импульса
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  367–370
29. Пеннинговский плазменный лазер на новых переходах атома гелия в видимой области спектра
    
    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2197–2200
30. О влиянии добавок SF₆ на эффективность генерации ксенонового ИК лазера
    
    Квантовая электроника, 14:2 (1987),  427–428
31. Полосовое излучение инертных газов, накачиваемых электронным пучком
    
    ЖТФ, 56:11 (1986),  2240–2244
32. Наблюдение генерации на переходе $4f-5g$ ($\lambda=253$ нм) иона $Be$ 1У в рекомбинирующей лазерной плазме
    
    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  613–617
33. Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»
    
    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2531–2533
34. Эксиплексный KrF-лазер, накачиваемый ионным пучком
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2191–2202
35. Моделирование активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида аргона
    
    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1828–1836
36. Мощный лазер с активным объемом 270 л на ИК переходах ксенона
    
    Квантовая электроника, 13:4 (1986),  878–880
37. Скачок заселенностей ионных уровней на фронте ударной волны в рекомбинирующей плазме
    
    ЖТФ, 55:2 (1985),  379–382
38. Мощный $Ne-H_2$-лазер с накачкой от малогабаритного промышленного ускорителя
    
    Квантовая электроника, 12:10 (1985),  1993–1994
39. Исследование характеристик активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида гелия
    
    Квантовая электроника, 12:8 (1985),  1557–1566
40. Повышение эффективности пучкового Хе-лазера с помощью молекулярных добавок
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  874–876
41. Плазменный лазер на длине волны 585,3 нм с пеннинговской очисткой на плотных смесях с неоном, возбуждаемых электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  245–246
42. Исследование пространственно-временно́й структуры свечения лазерной плазмы, соударяющейся с плоским экраном
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  1915–1922
43. Влияние структуры фронта ударной волны на характер свечения рекомбинирующей лазерной плазмы
    
    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1332–1337
44. Излучение смесей инертных газов с водородом при возбуждении электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1277–1280
45. Коэффициенты усиления и ослабления света в свободно распадающейся плазме водородоподобных ионов
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  49–58
46. Наблюдение генерации на переходах BeII в рекомбинирующей плазме, создаваемой рубиновым лазером
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1067–1071
47. О влиянии препятствий на излучение и динамику разлета лазерной плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  673–679
48. Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1286–1288
49. Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1063–1065
50. Стимулированное излучение на переходах Be ll в рекомбинирующей лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  901–903
51. Об инверсии литиеподобных ионов относительно состояния 2p в рекомбинирующей плазме
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1856–1858
52. Анализ формирования активной среды плазменного лазера на λ = 15,5 нм с помощью CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2136–2144
53. О перспективах усиления света далекого УФ диапазона (обзор)
    
    Квантовая электроника, 8:8 (1981),  1621–1649
54. Требования к накачке рентгеновского лазера ионизирующим источником
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1606–1607
55. Новая возможность решения проблемы коэффициентов относительной чувствительности в масс-спектрометрии
    
    Докл. АН СССР, 249:2 (1979),  349–352