Неделин Е Т

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дискретно перестраиваемый одночастотный диодный лазер с волоконными брэгговскими решетками
   
   Квантовая электроника, 37:12 (2007),  1143–1145
2. Непрерывно перестраиваемый одночастотный диодный лазер на длину волны ~1.52 мкм для целей газоанализа
   
   Квантовая электроника, 35:3 (2005),  241–242
3. Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530 – 1560 нм
   
   Квантовая электроника, 31:6 (2001),  529–530
4. Одночастотный полупроводниковый лазер на λ = 1.06 мкм с распределенным брегговским зеркалом в волоконном световоде
   
   Квантовая электроника, 25:4 (1998),  301–302
5. Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP
   
   Квантовая электроника, 23:9 (1996),  785–786
6. Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры
   
   Квантовая электроника, 19:7 (1992),  674–676
7. Спектральные характеристики инжекционных C³-лазеров на основе InGaAsP/InP
   
   Квантовая электроника, 17:4 (1990),  410–411
8. Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры
   
   Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1606–1608
9. Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм
   
   Квантовая электроника, 15:4 (1988),  702–704
10. Оптимизация характеристик дисперсионного элемента на основе гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  569–574
11. Одночастотный полупроводниковый лазер с $\lambda=1.3$ мкм c волоконным внешним резонатором
    
    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  849–854
12. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP
    
    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2201–2202
13. Сверхлюминесцентные излучатели на основе гетероструктур GaInAsP$-$InP с длиной волны излучения 1.3$-$1.55 мкм
    
    ЖТФ, 53:11 (1983),  2286–2288
14. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
15. О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904
16. Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1985–1987