Фатеев Николай Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией
   
   Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024),  911–917
2. Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке
   
   Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  39–42
3. Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  731–737
4. Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131
5. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731
6. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
7. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si
   
   Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
8. Возбуждение ридберговских атомов таллия в электрическом поле
   
   Оптика и спектроскопия, 124:1 (2018),  5–11
9. Усиленная люминесценция сильнолегированных Al_xGa_1-xN-структур при оптическом возбуждении
   
   Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
10. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
11. Управление спектральными и когерентными свойствами суперконтинуума с ярко выраженными солитонными структурами в спектре с помощью фазовой модуляции фемтосекундных импульсов накачки
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1038–1042
12. Спектральные и временные характеристики суперконтинуума в оптических волокнах с перетяжкой
    
    Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1107–1115
13. Генерация поляризованного суперконтинуума в квазиэллиптических световодах малого диаметра
    
    Квантовая электроника, 33:12 (2003),  1085–1088
14. Селективное фотохимическое «выжигание» изотопа при взаимодействии резонансного лазерного излучения с атомами
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  202–205
15. Некоторые новые тенденции в лазерном разделении изотопов в атомарных парах
    
    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  570–586
16. Управление шириной спектра фемтосекундного континуума, генерируемого в световоде малого диаметра
    
    Квантовая электроника, 32:1 (2002),  11–13
17. Перестраиваемая узкополосная УФ лазерная система с накачкой лазером на парах меди
    
    Квантовая электроника, 31:2 (2001),  132–134
18. Частотный репер в области λ = 732 нм для прецизионной лазерной спектроскопии мюония
    
    Квантовая электроника, 30:7 (2000),  641–646
19. Генерация эквидистантных частот в полупроводниковом лазере с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  109–113
20. Двухволновая генерация в лазерах на $F^-_2$-ЦО в кристалле LiF
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1770–1772
21. Нелинейное взаимодействие ридберговских атомов Na (P серия) с ИК и миллиметровым излучением
    
    Квантовая электроника, 15:7 (1988),  1488–1496
22. Ионизационная диагностика плотности молекулярных пучков на основе лазерно-индуцированного переноса электрона
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  645–648
23. Лазерно-активированная хемосорбция молекул SF₆ на горячей поверхности
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1515–1520
24. Влияние лазерного излучения на прилипание электронов к молекулам
    
    Квантовая электроника, 5:4 (1978),  926–928