|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Твердотельный лазер на основе Nd:YAG с пассивной модуляцией добротности для очистки поверхности нержавеющей стали
Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 23–27
-
Влияние длительности импульса на свойства наночастиц бора, получаемых лазерной фрагментацией микропорошков в жидкостях
Квантовая электроника, 54:10 (2024), 626–630
-
Исследование эффективности формирования наноструктур типа ядро-спутники на основе золота и железа при лазерно-абляционном синтезе
Квантовая электроника, 54:4 (2024), 255–258
-
Контроль размерных и оптических свойств лазерно-синтезированных наночастиц TiN для биомедицинских применений
Квантовая электроника, 54:4 (2024), 249–254
-
Создание композитов Bi@SiO2 со структурой ядро@оболочка на основе лазерно-синтезированных наночастиц Bi
Квантовая электроника, 53:7 (2023), 580–582
-
Pентгеноконтрастные свойства наноформуляций на основе висмута
Квантовая электроника, 53:7 (2023), 575–579
-
Мощный компактный лазер с сегментированной продольной накачкой связанных каналов генерации
Квантовая электроника, 45:6 (2015), 508–510
-
Акустическая диагностика взрывного вскипания прозрачной жидкости на поглощающей подложке под действием двух наносекундных лазерных импульсов
Квантовая электроника, 37:10 (2007), 967–970
-
Высокоскоростное аблирование сверхглубоких каналов фазово-сопряженным Nd:ИАГ-лазером с динамически регулируемой пассивной модуляцией добротности
Квантовая электроника, 37:10 (2007), 956–960
-
Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-
Квантовая электроника, 36:7 (2006), 609–611
-
Лазерная микрообработка в газовой среде при высокой частоте повторения аблирующих импульсов
Квантовая электроника, 34:6 (2004), 537–540
-
Влияние нелинейного рассеяния света в воздухе на абляцию материалов фемтосекундными лазерными импульсами
Квантовая электроника, 32:5 (2002), 433–436
-
Роль плазмы в абляции материалов ультракороткими лазерными импульсами
Квантовая электроника, 31:5 (2001), 378–382
-
Спектроскопия нестационарной фотопроводимости в поликристаллических алмазных пленках
Квантовая электроника, 30:5 (2000), 459–461
-
Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением
Квантовая электроника, 25:1 (1998), 45–48
-
Генерация коротких наносекундных импульсов в ИАГ: Nd-лазере с модулятором добротности на основе кристалла ГСГГ: Cr, Nd
Квантовая электроника, 18:9 (1991), 1040–1041
-
Процессы фотовозбуждения и рекомбинаций в широкозонных диэлектриках в условиях рождения радиационных дефектов
Физика твердого тела, 31:5 (1989), 1–7
© , 2026