|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Твердотельные неодимовые лазеры на кристаллах кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой
Квантовая электроника, 37:8 (2007), 753–759
-
Непрерывная лазерная генерация на кристаллах GGG:Yb3+ при накачке на длине волны 0.925 мкм
Квантовая электроника, 36:7 (2006), 587–590
-
Рост и люминесценция эпитаксиальных пленок Yb0.3ErxGd2.7–xGa5O12
Квантовая электроника, 25:3 (1998), 233–235
-
Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd3Ga5O12:Cr,Ce,Nd
Квантовая электроника, 20:6 (1993), 569–573
-
Влияние ионов Се3+ на спектроскопические и генерационные свойства кристаллов Y3Al5O12:Ce3+, Ег3+ и Gd3Ga5O12:Ce3+, Ег3+
Квантовая электроника, 19:7 (1992), 638–640
-
Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом
Квантовая электроника, 18:7 (1991), 799–802
-
Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/2–4I13/2 (λ = 1,33 мкм)
Квантовая электроника, 18:3 (1991), 298–300
-
Эффективный лазер с прямоугольным активным элементом
Квантовая электроника, 18:3 (1991), 296–297
-
Лазер на кристалле эрбий-гадолиний-галлиевого граната
Квантовая электроника, 18:2 (1991), 179–181
-
Лазерная генерация в кристалле кальций-ниобий-галлиевого граната с хромом и эрбием (λ = 2,71 мкм)
Квантовая электроника, 17:7 (1990), 865–866
-
Влияние химического состава на теплофизические характеристики галлиевых гранатов
Докл. АН СССР, 309:1 (1989), 92–96
-
Влияние примесей и промежуточного состава на решеточную теплопроводность искусственных гранатов
Физика твердого тела, 31:7 (1989), 139–143
-
Температурные зависимости теплоемкости, температуропроводности и теплопроводности галлиевых гранатов ($300$–$700$ K)
ТВТ, 27:6 (1989), 1097–1102
-
Спектроскопические и генерационные свойства кристаллов $\mathrm{Ca}$, $\mathrm{Mg}$, $\mathrm{Zr}$-замещенного гадолиний-галлиевого граната, активированного хромом и неодимом
Докл. АН СССР, 301:1 (1988), 79–83
-
Спектроскопические и генерационные свойства кальций-ниобий-галлиевого граната с Cr3+ и Nd3+
Квантовая электроника, 15:2 (1988), 312–317
-
Исследование неоднородности состава висмутсодержащих пленок феррит-гранатов субмикронных толщин
Физика твердого тела, 27:6 (1985), 1712–1717
-
Фотомагнетизм и анизотропия восприимчивости эпитаксиальных пленок Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$
Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1449–1451
-
Коэффициенты распределения редкоземельных ионов в пленках
феррит-гранатов на подложках гадолиний-галиевого граната
ЖТФ, 55:2 (1985), 426–428
-
Управляемое сползание доменных стенок в пленках феррит-гранатов
ЖТФ, 54:12 (1984), 2423–2425
-
Скорость движения доменных стенок в пленках
(Eu, Lu, Bi)$_{3}$(Fe, Ga, Al)$_{5}$O$_{12}$
ЖТФ, 54:7 (1984), 1381–1383
-
Синтез и исследование спектрально-люминесцентных и генерационных свойств кристаллов алюмоборатов, активированных ионами хрома и неодима
Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2105–2111
-
Оптическая генерация на александрите (BeAl2O4 : Cr3+)
Квантовая электроника, 5:5 (1978), 1168–1169
-
Безызлучательные потери на переходе 4I11/2–4I13/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Gd3Sc2Al3O12, Y3Ga5O12, Gd3Ga5O12, CaF2
Квантовая электроника, 5:5 (1978), 1028–1033
-
Импульсный лазер на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ с высокой концентрацией активатора в частотном режиме
Квантовая электроника, 5:1 (1978), 150–152
-
Сечение лазерного перехода 4I11/2 – 4I13/2 иона Er3+ в кристалле иттрий-эрбий-алюминиевого граната
Квантовая электроника, 4:1 (1977), 198–201
-
Излучательные и безызлучательные переходы Er3+ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1471–1477
-
Спектроскопические свойства скандийсодержащих гранатов, активированных неодимом
Квантовая электроника, 3:3 (1976), 618–621
-
Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов
Квантовая электроника, 3:3 (1976), 589–594
-
Индуцированное излучение ионов Er3+ в кристаллах иттрий-алюминиевого граната на длине волны 2,94 мкм
Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1867–1869
-
Рентгенолюминесценция ионов редкоземельных элементов в кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
Докл. АН СССР, 188:6 (1969), 1258–1260
-
Вячеслав Васильевич Осико (к пятидесятилетию со дня рождения)
Квантовая электроника, 9:5 (1982), 1072
© , 2026