Залевский Игорь Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Многомодовый волоконный эрбиевый лазер с накачкой в оболочку
   
   Квантовая электроника, 37:4 (2007),  343–344
2. Высокоэффективный компактный Nd³⁺:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором
   
   Квантовая электроника, 35:6 (2005),  507–510
3. Эффективный неодимовый одномодовый волоконный лазер, работающий в области 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 33:12 (2003),  1035–1037
4. Волоконный ВКР-усилитель на длину волны 1.65 мкм
   
   Квантовая электроника, 32:8 (2002),  747–750
5. Особенности построения лазерного измерителя скорости и дальности ЛИСД-2М
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  247–250
6. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218
7. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
8. О кинетике безызлучательного переноса энергии в фосфатных Yb–Er-стеклах, возбуждаемых диодным лазером
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  197–201
9. Мощный эрбиевый волоконный усилитель с накачкой от рамановского волоконного конвертера на основе фосфоросиликатного световода
   
   Квантовая электроника, 31:9 (2001),  801–803
10. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
11. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
12. Экспериментальное изучение и моделирование излучательных характеристик мощных непрерывных инжекционных лазеров спектрального диапазона 808 нм с полным КПД до 50%
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  611–615
13. Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50%
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  303–304
14. Примесная зона кластеров железа в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  250–254


15. Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564