Мешков А С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов
   
   ЖТФ, 86:10 (2016),  83–88
2. Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  120–124
3. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
   
   Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897