|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 100–103
-
Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822–823
-
Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819–821
-
Оценка надежности полупроводникового излучателя ИЛПН-134
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 377–382
-
Исследование характеристик одночастотного лазера, предназначенного для накачки цезиевых стандартов частоты
Квантовая электроника, 38:4 (2008), 319–324
-
Одночастотный лазер с подстройкой длины волны для накачки цезиевых стандартов частоты
Квантовая электроника, 36:8 (2006), 741–744
-
Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов
Квантовая электроника, 34:1 (2004), 15–19
-
Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры
Квантовая электроника, 24:9 (1997), 773–775
-
Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры
Квантовая электроника, 21:3 (1994), 205–208
© , 2026