RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Чеботарев Геннадий Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Лазер на парах стронция с ионизационным и рекомбинационным механизмами формирования инверсии

    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1142–1145
  2. О предельной частоте следования импульсов генерации лазера на самоограниченных переходах иона стронция

    Квантовая электроника, 38:11 (2008),  1009–1015
  3. Кинетика активной среды рекомбинационного He — Sr+-лазера. 2. Достижимые энергетические характеристики

    Квантовая электроника, 38:4 (2008),  309–318
  4. Кинетика активной среды рекомбинационного He — Sr+-лазера. 1. Пространственно-временные характеристики

    Квантовая электроника, 38:4 (2008),  299–308
  5. Критерии пространственной однородности активных сред катафорезных импульсно-периодических лазеров на парах металлов

    Квантовая электроника, 35:7 (2005),  598–604
  6. Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии

    Квантовая электроника, 32:4 (2002),  289–293
  7. Малогабаритные рекомбинационные H – Sr$^+$(Ca$^+$)-лазеры

    Квантовая электроника, 30:6 (2000),  471–478
  8. Oптимальное масштабирование рекомбинационных He — Sr+(Ca+)-лазеров

    Квантовая электроника, 30:5 (2000),  393–398
  9. Ненасыщенный коэффициент усиления линий со смешанным контуром уширения

    Квантовая электроника, 20:1 (1993),  99–100
  10. Роль ступенчатых ударов второго рода в механизме накачки гелий-стронциевого рекомбинационного лазера

    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1427–1434
  11. Механизмы генерации газоразрядного неон-водородного лазера на λ = 585,3 нм

    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1418–1423
  12. О роли ступенчатых ударов второго рода в лазере на ионных переходах ртути

    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  712–716
  13. Рекомбинационные газоразрядные лазеры на переходах многозарядных ионов O III и Xe lV

    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2394–2399
  14. Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»

    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2531–2533
  15. Новые лазерные переходы в Hgl

    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2375–2377
  16. О применимости метода максимальных потерь для измерения коэффициента усиления импульсных лазеров

    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1480–1484


© МИАН, 2026