RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Мозоль Пётр Евсеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование наноструктур, стимулированное поверхностными акустическими волнами при наносекундном лазерном облучении CdTe

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  236–240
  2. Теория образования ансамбля нанокластеров на поверхности кристаллов CdTe при одноимпульсном лазерном воздействии

    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  245–250
  3. Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства $p$-CdTe

    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  801–805
  4. Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств монокристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых облучению

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1386–1389
  5. Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1595–1600
  6. Изменение стехиометрического состава твердого раствора Mg$_{0.2}$Cd$_{0.8}$Te под действием лазерного излучения

    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3561–3564
  7. Оптическое поглощение, индуцированное импульсом излучения лазера, в тетрагональных кристаллах ZnP$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  499–502
  8. Фотопроводимость монокристаллов CdTe в области края фундаментального поглощения

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  398–402
  9. О природе собственных дефектов слоистых полупроводников GaSe

    Физика твердого тела, 27:12 (1985),  3696–3699
  10. Влияние лазерного облучения на свойства монокристаллов твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se

    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1334–1338
  11. Индуцированное поглощение и просветление в ZnP$_{2}$, легированном Ge

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1861–1863
  12. Самоиндуцированное вращение направления поляризации света в кристаллах класса 422

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  672–675
  13. Фотопроводимость дифосфида цинка при возбуждении импульсами рубинового лазера

    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2074–2077
  14. Температурное изменение коэффициента двухфотонного поглощения в дифосфидах кадмия и цинка

    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  714–716
  15. Удлинение лазерных импульсов с помощью нелинейно поглощающих полупроводников CdP2 и ZnP2

    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  185–187
  16. Двухфотонное поглощение в монокристаллах CdSxSe1–x

    Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  53–57


© МИАН, 2026