|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе
Квантовая электроника, 38:2 (2008), 97–102
-
Дискретно перестраиваемый одночастотный диодный лазер с волоконными брэгговскими решетками
Квантовая электроника, 37:12 (2007), 1143–1145
-
Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм
Квантовая электроника, 35:10 (2005), 909–911
-
Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530 – 1560 нм
Квантовая электроника, 31:6 (2001), 529–530
-
Одночастотный полупроводниковый лазер на λ = 1.06 мкм с распределенным брегговским зеркалом в волоконном световоде
Квантовая электроника, 25:4 (1998), 301–302
-
Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP
Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785–786
-
Токи утечки и 1/f-шум в заращенных гетеролазерах на InGaAsP/InP
Квантовая электроника, 17:8 (1990), 964–968
© , 2026