Сабитов Дамир Равильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  561–564
2. Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов
   
   Квантовая электроника, 52:6 (2022),  577–579
3. Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181
4. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
5. Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425
6. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295
7. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP
   
   Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833
8. Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN
   
   Квантовая электроника, 45:7 (2015),  601–603
9. Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 38:8 (2008),  744–746
10. Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе
    
    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102