Зверков Михаил Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Двойной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
2. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
3. Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  104–108
4. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
5. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
6. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992
7. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
8. Излучение оптически связанных полупроводниковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 30:10 (2000),  867–872
9. Генерация пикосекундных импульсов видимого диапазона (GaIn)P-гетеролазером с неоднородным возбуждением
   
   Квантовая электроника, 23:8 (1996),  699–700
10. Квантово-размерный С³-лазер
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  414–416
11. Особенности спектральной зависимости коэффициента усиления внешнего излучения в полупроводниковом лазере
    
    Письма в ЖТФ, 18:9 (1992),  20–22
12. Усиление внешнего излучения в полупроводниковом лазере в состоянии генерации
    
    Квантовая электроника, 19:7 (1992),  661–667
13. Инжекционный квантоворазмерный лазер с внешней оптической обратной связью
    
    Квантовая электроника, 19:7 (1992),  657–661
14. Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  824–825
15. Согласование полоскового инжекционного лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  781–786
16. Переходные процессы в C³-лазере
    
    Квантовая электроника, 16:5 (1989),  905–911
17. Увеличение падения напряжения в инжекционном лазере под влиянием внешней оптической обратной связи
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1149–1153
18. Динамическая перестройка частоты следования импульсов в инжекционнсм лазере с пассивной синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1724–1729
19. Высокоэффективный твердотельный лазер, излучающий в зеленой области спектра
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  962–963
20. Межмодовые переключения в трехсекционном инжекционном лазере
    
    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  714–716
21. Формирование ультракороткого импульса света в инжекционном лазере с синхронизованными модами
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1217–1219
22. Перестройка спектра излучения C³-лазера
    
    Квантовая электроника, 14:2 (1987),  342–350
23. Инжекционный лазер с распределенной связью с внешним зеркалом
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  414–416
24. Аномально большая непрерывная перестройка частоты генерации инжекционного лазера с внешним селективным резонатором
    
    Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1391–1400
25. Передача оптического сигнала с переключаемой по частоте несущей
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1061–1062
26. Эффективный метод плавной перестройки частоты инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  777–780
27. Влияние внешнего зеркала на характеристики излучения полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  397–400
28. Пространственно-временны́е характеристики излучения одномодовых инжекционных лазеров
    
    ЖТФ, 53:12 (1983),  2408–2410
29. Инжекционный лазер видимого диапазона с высокой яркостью
    
    Письма в ЖТФ, 9:10 (1983),  590–593
30. Гетеродинное измерение ширины линии генерации инжекционных лазеров в режиме стабилизации частоты биений
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1527–1529
31. Волоконно-оптический интерферометр на многомодовом световоде, возбуждаемом инжекционным гетеролазером
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1048–1049
32. Влияние внешней обратной связи на перестройку частоты полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1019–1021
33. Излучательные характеристики инжекционных лазеров с малой длиной резонатора
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  364–370
34. Интегральная пара РОС-генератор – усилитель на GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  250–255
35. Инжекционный гетеролазер с малой длиной резонатора
    
    Квантовая электроника, 6:2 (1979),  402–404
36. Временные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров с распределенной обратной связью при накачке электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  249–254
37. О выводе излучения из полупроводникового лазера с распределенной обратной связью, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  104–108
38. Полупроводниковые РОС-лазеры, работающие в высших порядках брегговского взаимодействия
    
    Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2654–2656