RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дураев Владимир Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Одночастотные перестраиваемые полупроводниковые лазеры с внешним резонатором на длину волны 1550 нм

    Квантовая электроника, 53:12 (2023),  887–890
  2. Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм

    Квантовая электроника, 52:9 (2022),  775–778
  3. Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля

    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  870–872
  4. Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  125–128
  5. Полупроводниковый лазер с кольцевым волоконным резонатором

    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  914–916
  6. Полупроводниковый кольцевой лазер и исследование его характеристик в режиме датчика вращения

    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  851–854
  7. Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе

    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102
  8. Дискретно перестраиваемый одночастотный диодный лазер с волоконными брэгговскими решетками

    Квантовая электроника, 37:12 (2007),  1143–1145
  9. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм

    Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911
  10. Непрерывно перестраиваемый одночастотный диодный лазер на длину волны ~1.52 мкм для целей газоанализа

    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  241–242
  11. Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530 – 1560 нм

    Квантовая электроника, 31:6 (2001),  529–530
  12. Одночастотный полупроводниковый лазер на λ = 1.06 мкм с распределенным брегговским зеркалом в волоконном световоде

    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  301–302
  13. Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP

    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  785–786
  14. Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью с одномодовым световодом и оптическим изолятором

    Квантовая электроника, 22:7 (1995),  653–655
  15. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями

    Квантовая электроника, 22:2 (1995),  105–107
  16. Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры

    Квантовая электроника, 19:7 (1992),  674–676
  17. Волоконный интерферометр Майкельсона с компенсацией потерь

    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1137–1139
  18. Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм

    Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1147–1150
  19. Спектральные характеристики инжекционных C3-лазеров на основе InGaAsP/InP

    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  410–411
  20. Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры

    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1606–1608
  21. Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)

    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2196–2198
  22. Влияние длины когерентности лазера на шумовые характеристики ВОЛС с частотной модуляцией

    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2158–2160
  23. Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой

    Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1552–1554
  24. Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм

    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  702–704
  25. Оптимизация характеристик дисперсионного элемента на основе гофрированного волновода

    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  569–574
  26. Асимметричный спектр излучения инжекционного лазера с внешней оптической обратной связью

    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  247–252
  27. Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные испытания лазеров на основе InGaAsP/InP

    ЖТФ, 57:8 (1987),  1570–1574
  28. Одночастотный полупроводниковый лазер с $\lambda=1.3$ мкм c волоконным внешним резонатором

    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  849–854
  29. Исследование перестроечных характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров с высоким спектральным разрешением

    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  718–723
  30. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP

    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2201–2202
  31. Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  204–205
  32. Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP

    Квантовая электроника, 13:1 (1986),  170–171
  33. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)

    ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
  34. Сверхлюминесцентные излучатели на основе гетероструктур GaInAsP$-$InP с длиной волны излучения 1.3$-$1.55 мкм

    ЖТФ, 53:11 (1983),  2286–2288
  35. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
  36. Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезаполосковых инжекционных лазеров, работающих в диапазоне 1,2–1,6 мкм

    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  633–635
  37. О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904
  38. Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749
  39. Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP

    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1985–1987

  40. Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)

    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290

© МИАН, 2026