Борисов Владимир Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Источник ЭУФ лазерно-индуцированного излучения высокой яркости на основе оловянной плазмы с неограниченным ресурсом электродов
   
   Квантовая электроника, 46:1 (2016),  81–87
2. Мощный высокостабильный КrF-лазер с частотой следования импульсов 4 кГц
   
   Квантовая электроника, 45:8 (2015),  691–696
3. Прототип мощного высокоэнергетичного промышленного XeCl-лазера
   
   Квантовая электроника, 45:3 (2015),  200–203
4. Источник света с высокой яркостью излучения на длине волны 13.5 нм
   
   Квантовая электроника, 44:11 (2014),  1077–1082
5. Мощный источник света в экстремальном УФ диапазоне (13.5 нм)
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  720–726
6. Лазерно-инициируемые источники экстремального ультрафиолетового излучения для производства интегральных схем следующего поколения
   
   Квантовая электроника, 39:10 (2009),  967–972
7. О предельных частотах повторения импульсов XeF-лазера
   
   Квантовая электроника, 30:10 (2000),  881–883
8. Разработка мощных KrF-лазеров с частотой повторения импульсов до 5 кГц
   
   Квантовая электроника, 30:9 (2000),  783–786
9. Эффективная предыонизация в XeCl-лазерах
   
   Квантовая электроника, 26:3 (1999),  204–208
10. Мощные высокоэффективные KrF-лампы с возбуждением скользящим и барьерным разрядами
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  308–314
11. О стабильности генерации компактного KrF-лазера мощностью 600 Вт
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  131–134
12. Компактный KrF-лазер мощностью 600 Вт
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  126–130
13. Теоретическое и экспериментальное исследование развития крупномасштабной неустойчивости в разряде XeCl-лазера с УФ предыонизацией
    
    Квантовая электроника, 24:1 (1997),  25–30
14. Pumping rate of electric-discharge excimer lasers
    
    Квантовая электроника, 22:6 (1995),  533–536
15. Oграничениe средней мощности в компактных импульсно-периодических KrF-лазерах
    
    Квантовая электроника, 22:5 (1995),  446–450
16. Об условиях возбуждения широкоапертурного ХеСl-лазера со средней мощностью излучения 1 кВт
    
    Квантовая электроника, 22:5 (1995),  433–435
17. Импульсно-периодический XeCl-лазер мощностью 600 Вт для технологических применений
    
    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  183–185
18. Взаимодействие излучения импульсно-периодического XeCl-лазера с металлами
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1321–1326
19. Импульсно-периодический электроразрядный ХеСl-лазер
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  164–165
20. Простой компактный десятиджоулевый XeCl-лазер с двойной формирующей линией Блюмляйна
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2170–2172
21. ВКР-преобразование излучения с λ = 308 нм и частотой повторения импульсов до 600 Гц в сжатом водороде
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2030–2037
22. Расходимость излучения электроразрядного XeCl-лазера в импульсно-периодическом режиме
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1712–1719
23. Широкоапертурная электроразрядная система с УФ предыонизацией для импульсно-периодического XeCl-лазера
    
    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2168–2174
24. Широкоапертурный электроразрядный XeCl-лазер с УФ предыонизацией и энергией генерации 20 Дж
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1542–1551
25. Об акустических колебаниях в газоразрядной камере быстропроточного импульсно-периодического лазера
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1206–1212
26. Эффекты эволюции энергии генерации в импульсно-периодическом эксимерном лазере на XeCl со средней мощностью ~ 400 Вт
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  936–942
27. Приэлектродные эффекты в импульсно-периодическом эксимерном лазере
    
    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2403–2407
28. О неустойчивости однородной формы самостоятельного разряда в эксимерных лазерах
    
    ТВТ, 24:6 (1986),  1072–1078
29. О связи ионизационных процессов с геометрическими параметрами импульсного разряда в гелии
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2317–2323
30. Кинетика электронов и вызванные акустическими возмущениями неоднородности энерговклада в импульсно-периодическом XeCl-лазере
    
    Квантовая электроника, 12:8 (1985),  1641–1649
31. О флуоресценции $KrF^*$ в объемном разряде на стадии допробойного ионизационного размножения
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1311–1313
32. Закономерности флуоресценции эксимерных молекул KrF*, XeF* в объемном разряде
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1196–1203
33. ВКР излучения электроразрядного импульсно-периодического XeCl-лазера в сжатом H₂
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1100–1102
34. Влияние приэлектродных процессов на контрагирование объемного разряда в импульсно-периодических лазерах
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  971–977
35. Установление стационарного уровня мощности в импульсно-периодическом эксимерном лазере
    
    Квантовая электроника, 11:10 (1984),  2069–2073
36. Об увеличении частоты следования импульсов ХеСl-лазера до 1 кГц
    
    Квантовая электроника, 11:4 (1984),  827–829
37. Исследование условий формирования однородного сильноточного скользящего разряда
    
    ТВТ, 22:4 (1984),  661–666
38. О причинах снижения мощности импульсно-периодического XeCl-лазера в процессе работы
    
    Квантовая электроника, 10:11 (1983),  2336–2340
39. Скользящий импульсно-периодический разряд
    
    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2110–2112
40. Воздействие лазерного излучения с λ = 308 нм на пиролиз 1,2-дихлорэтана
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1406–1412
41. Химический HF-лазер, инициируемый скользящим по поверхности диэлектрика разрядом
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1065–1067
42. Об особенностях импульсно-периодического режима эксимерных лазеров
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  540–546
43. Исследование однородного сильноточного скользящего разряда
    
    ТВТ, 21:5 (1983),  844–851
44. Экспериментальное исследование характеристик плоского скользящего разряда
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2159–2167
45. Химический HF-лазер, инициируемый эксимерным XeCl-лазером
    
    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  434–436
46. XeF-лазер с импульсом генерации 2 нс и расходимостью, близкой к дифракционной
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2271–2274
47. Об оптимизации средней мощности эксимерных импульсно-периодических лазеров на KrF и ХеСl
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1909–1912
48. Управление расходимостью и спектром XeCl-лазера
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1861–1866
49. Эксимерный электроразрядный лазер с плазменными электродами
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  165–167
50. Использование разряда по поверхности диэлектрика для предыонизации в эксимерных лазерах
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  77–82
51. Об управлении спектральной мощностью $XeF$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1375–1376
52. Эксимерный импульсно-периодический лазер
    
    Квантовая электроника, 7:4 (1980),  896–898
53. Об изменении характеристик электроразрядного XeF-лазера при увеличении давления
    
    Квантовая электроника, 5:10 (1978),  2285–2289
54. Свободная генерация электроразрядного CO₂-лазера в наносекундном диапазоне длительности светового импульса
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1141–1143
55. Фотоионизация в импульсном CO₂-лазере
    
    Квантовая электроника, 4:4 (1977),  809–814
56. О влиянии предионизации на разрядные характеристики CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2460–2462
57. Об изменении параметров фотоионизационного CO₂-лазера при увеличении давления до 10 атм
    
    Квантовая электроника, 3:3 (1976),  651–653
58. Получение однородного разряда для импульсного CO₂-лазера большого объема
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2086–2088
59. Об усилении излучения на длине волны 9,6 и 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  840–842