Сапожников Сергей Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087
2. Тройной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
3. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
4. Двойной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
5. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
6. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995
7. Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%
   
   Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695
8. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
   
   Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
9. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al_0.45Ga_0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
10. Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  120–124
11. Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  104–108
12. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
    
    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
13. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
14. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
15. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
16. Особенности построения лазерного измерителя скорости и дальности ЛИСД-2М
    
    Квантовая электроника, 32:3 (2002),  247–250
17. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
18. Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  892–894
19. Исследование механизмов многомодовой генерации инжекционных лазеров на двойной гетероструктуре AlGaAs с узким полосковым контактом
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  367–369
20. Влияние ширины спектра на флуктуации мощности инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  347–350
21. Исследование двухкомпонентного инжекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2489–2491
22. Исследование переходного процесса генерирования оптически связанных лазеров
    
    Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1808–1811