Лебедева Е И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  120–124
2. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
   
   Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
3. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
4. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
5. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
6. Твердотельный импульсный лазер с оптической накачкой решетками лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 18:3 (1991),  294–295