Васильев Алексей Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
2. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
3. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
4. Фазовые шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1230–1232
5. Ширина линии излучения вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1226–1229
6. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
7. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
8. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
9. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
10. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
11. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
12. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
13. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
14. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
15. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
16. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
17. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
18. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
19. Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре
    
    Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019),  445–448
20. Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1218–1223
21. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
22. Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54
23. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
24. Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1337–1345
25. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
26. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
27. Optical properties of AlGaAs/GaAs resonant Bragg structure at the second quantum state
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  466
28. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
29. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
30. Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23
31. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
32. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
33. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
34. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497
35. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
36. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
37. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553
38. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
39. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
40. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
41. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1473–1477
42. Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1379–1385
43. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  30–34
44. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1059–1064
45. Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  22–30
46. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
47. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
48. Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1188–1197
49. Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  9–15
50. Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1451–1454
51. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
52. Резонансная брэгговская структура (AlGaAs/GaAs/AlGaAs)$_{60}$ на основе второго уровня размерного квантования экситонов с тяжелыми дырками в квантовых ямах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1260–1265
53. Состояния Ваннье–Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  790–794
54. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  24–30
55. Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582
56. О задаче оптимизации морского МГД-движителя
    
    Прикл. мех. техн. физ., 22:3 (1981),  86–94
57. К вопросу аналогии пузырькового кипения с процессом электролиза морской воды в канале МГД-движителя
    
    ТВТ, 18:5 (1980),  1116