Сидоров Александр Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Теплофизические параметры кристалла LBO
   
   Квантовая электроника, 40:6 (2010),  509–512
2. Теплопроводность и термические свойства замещенного гексагаллата стронция $\mathrm{SrGa}_{11}\mathrm{Mg}_{0{,}5}\mathrm{Zr}_{0{,}5}\mathrm{O}_{19}$ в интервале температур $5$–$300$ К
   
   Докл. АН СССР, 321:1 (1991),  91–94
3. Среднеквадратичные смещения ионов и характеристические температуры халькопирита по рентгенографическим данным при $5$5–$300$ К
   
   Докл. АН СССР, 317:4 (1991),  873–878
4. Интенсивность брегговских рефлексов халькопирита в интервале $4$–$300$ К
   
   Докл. АН СССР, 309:5 (1989),  1104–1107
5. Определение температурной зависимости теплоемкости и характеристической температуры $\mathrm{Si}$, $\mathrm{GaP}$, $\mathrm{InAs}$ по интенсивности брегговских рефлексов в области температур $7$–$310$ К
   
   Докл. АН СССР, 303:5 (1988),  1123–1126
6. Рентгенографическое исследование твердых растворов $(\mathrm{InP})_x(\mathrm{InAs})_{1-x}$ в области температур $7$–$310$ K
   
   Докл. АН СССР, 292:3 (1987),  607–611
7. Температурная зависимость параметров решетки и коэффициентов теплового расширения твердых растворов фосфида и арсенида индия в области температур $7$–$310$ К
   
   Докл. АН СССР, 284:5 (1985),  1111–1115
8. Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$–$310$ К
   
   Докл. АН СССР, 280:2 (1985),  352–356
9. Температурная зависимость коэффициентов теплового расширения фосфидов и арсенидов галлия и индия в области $7$–$310$ К по рентгенографическим данным
   
   Докл. АН СССР, 277:6 (1984),  1379–1384