Бадиков Валерий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические и генерационные характеристики новых нелинейных кристаллов Ba₂Ga₈GeS₁₆ и Ba₂Ga₈(GeSe₂)S₁₄ для среднего ИК диапазона
   
   Квантовая электроника, 52:3 (2022),  296–300
2. Динамика решетки и электронные свойства нелинейного кристалла BaGa$_{2}$GeS$_{6}$: комбинационное рассеяние, ИК отражение и расчет ab initio
   
   Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  20–24
3. Люминесценция монокристаллов тиогаллата свинца, активированных ионами церия
   
   Физика твердого тела, 57:1 (2015),  101–105
4. ЭПР ионов Ce$^{3+}$ в монокристаллах тиогаллата свинца
   
   Физика твердого тела, 54:10 (2012),  1931–1934
5. ЭПР ионов Dy$^{3+}$ в монокристаллах тиогаллата свинца
   
   Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1164–1167
6. Качественное улучшение лазерных свойств кристаллов PbGa₂S₄:Dy³⁺ при их соактивации ионами Na⁺
   
   Квантовая электроника, 40:7 (2010),  596–598
7. Исследование способов перестройки параметрических генераторов света видимого и ИК диапазонов
   
   Квантовая электроника, 40:4 (2010),  288–295
8. Оптический параметрический генератор среднего ИК диапазона на кристалле HgGa₂S₄ с накачкой импульсно-периодическим Nd:YAG-лазером
   
   Квантовая электроника, 37:4 (2007),  363–365
9. Оптический параметрический генератор на кристалле Hg_1-xCd_xGa₂S₄
   
   Квантовая электроника, 35:9 (2005),  853–856
10. Исследование нелинейно-оптических характеристик кристаллов AgGa_1-xIn_xSe₂
    
    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  263–267
11. Исследование оптических и теплофизических свойств нелинейных кристаллов тиогаллата ртути
    
    Квантовая электроника, 34:5 (2004),  451–456
12. Импульсные Cr²⁺:ZnS- и Cr²⁺:ZnSe-лазеры среднего ИК диапазона с накачкой неодимовыми лазерами с модуляцией добротности и сдвигом частоты излучения с помощью ВКР
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  8–14
13. Оптический параметрический генератор на кристалле HgGa₂S₄
    
    Квантовая электроника, 33:9 (2003),  831–832
14. Лучевая стойкость нелинейных кристаллов на длине волны 9.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 31:12 (2001),  1075–1078
15. Эффективные параметрические генераторы пикосекундных импульсов среднего ИК диапазона на основе кристаллов AgGaS₂
    
    Квантовая электроника, 24:6 (1997),  537–540
16. Получение и оптические свойства нелинейных монокристаллов селеногаллата серебра
    
    Квантовая электроника, 19:8 (1992),  782–784
17. Кристаллические структуры $\mathrm{Ag}$-германогаллиевого сульфида и $\mathrm{GeS}_2$
    
    Докл. АН СССР, 257:3 (1981),  611–614
18. Узкополосный перестраиваемый оптический фильтр на монокристалле CdGa₂S₄
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  910–912
19. Выращивание и оптические свойства системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$
    
    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2237–2240
20. Выращивание и нелинейные свойства $HgGa_2S_4$
    
    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2235–2237
21. Преобразование частоты вверх в кристалле тиогаллата ртути
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2003–2006
22. Выращивание и оптические свойства тиогаллата ртути
    
    Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1807–1810
23. Преобразование ИК-излучения на кристалле AgGaS₂
    
    Квантовая электроника, 2:5 (1975),  1090–1092
24. Некоторые оптические свойства монокристаллов тиогаллата серебра
    
    Квантовая электроника, 2:3 (1975),  618–621
25. Визуализация объектов, освещаемых излучением длиной волны 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 1971, № 1,  151–153