Смирнов Валерий Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
   
   Квантовая электроника, 40:7 (2010),  604–614
2. Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке
   
   Квантовая электроника, 40:1 (2010),  35–39
3. Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска
   
   Квантовая электроника, 39:11 (2009),  1033–1040
4. Распределение температуры и термоупругих напряжений в активном элементе в виде тонкого диска с произвольной оптической плотностью
   
   Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1105–1109
5. Исследование возможности создания мультикиловаттного твердотельного лазера с многоканальной диодной накачкой на основе оптически плотных активных сред
   
   Квантовая электроника, 37:10 (2007),  910–915
6. Спектроскопия ионов V⁴⁺ и V³⁺ в кристалле форстерита
   
   Квантовая электроника, 30:5 (2000),  449–453
7. Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho
   
   Квантовая электроника, 25:2 (1998),  151–154
8. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺ в стационарном и импульсном режимах
   
   Квантовая электроника, 25:1 (1998),  11–15
9. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера
   
   Квантовая электроника, 24:3 (1997),  209–212
10. Ионы Cr⁴⁺ – новый эффективный сенсибилизатор для лазерных материалов на длины волн 1.5–3 мкм, активированных ионами Er³⁺, Tm³⁺, Ho³⁺, Dy³⁺
    
    Квантовая электроника, 21:11 (1994),  1035–1037
11. Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но
    
    Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1105–1110
12. Межионные взаимодействия в лазерных кристаллах ИСГГ:Сг, Тm и ИСГГ:Сг, Тm, Но
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  150–156
13. Фотоиндуцированное короткоживущее поглощение в кристаллах ГСГГ:Сг³⁺, Nd³⁺ и ГСАГ:Сг³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1056–1059
14. Кросс-релаксационная дезактивация основного состояния ионов редкоземельных элементов в кристаллах
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1042–1046
15. Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺ и ГСАГ:Сr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺
    
    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  166–169
16. Влияние спектрального состава излучения накачки на генерационные и спектрально-люминесцентные характеристики кристалла YAlO₃:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1445–1448
17. Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг³⁺, Ег³⁺ в области 3 мкм при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1277–1281
18. Лазер двухмикрометрового диапазона на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  861–863
19. Экспериментальное обнаружение неаддитивности различных каналов образования инверсной населенности на переходе ⁴I_11/2 → ⁴I_13/2 иона Ег³⁺ в кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  716–717
20. Лазер трехмикронного диапазона на ZrO₂–Y₂O₃:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2421–2423
21. Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr³⁺–Tm³⁺–Ho³⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2176–2179
22. Лазер с активными элементами из кристаллов ИСГГ : Cr, Nd и ИСГГ : Cr, Tm, Ho, излучающий на длинах волн 1,06 и 2,088 мкм
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  673–675
23. Генерация гигантского импульса в моде TEM₀₀ (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  672–673
24. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристаллах гадолиний-скандий-алюминиевого граната
    
    Докл. АН СССР, 299:6 (1988),  1371–1373
25. Фотоиндуцированные потери в кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2071–2077
26. Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  960–961
27. Коэффициенты усиления в области 1,5 и 3 мкм кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  497–499
28. Кристаллы иттрий-скандий-алюминиевого граната с хромом и неодимом как материал для активных сред твердотельных лазеров
    
    Докл. АН СССР, 295:5 (1987),  1098–1101
29. ИСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺ – новая эффективная среда для импульсных твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1651–1652
30. Температурная зависимость коэффициента усиления и эффективных поперечных сечений генерационного перехода ~1,06 мкм в кристаллах гадолиний-скандий-галлиевого граната с хромом и неодимом
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2203–2207
31. Генерация ионов гольмия на переходе⁵I₇→⁵I₈ при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
    
    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2127–2129
32. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
33. Кристаллы скандий-галлиевых гранатов с хромом как активные среды лазеров на ИК переходах Ho³⁺ и Tm³⁺
    
    Квантовая электроника, 13:1 (1986),  216–219
34. Описание временных эволюций населенности возбужденного состояния доноров в кристаллах редкоземельных пентафосфатов при прыжковом механизме тушения
    
    Докл. АН СССР, 278:1 (1984),  89–92
35. Исследование новой активной среды лазера – кристалла гадолиний – скандий – галлиевого граната, активированного хромом и неодимом
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1565–1574
36. Новые возможности Cr³⁺ как активатора рабочих сред твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  487–492
37. Безмодельное описание временных эволюции населенности возбужденного состояния доноров при их взаимодействии с акцепторами в кубическом кристалле
    
    Докл. АН СССР, 271:3 (1983),  615–618
38. Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме
    
    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1961–1963
39. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919
40. Перестраиваемый струйный лазер на красителе с синхронной накачкой излучением второй гармоники лазера на АИГ : Nd
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1880–1881
41. Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La₂S₃ и стеклах La₂S₃·2Ga₂O₃
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1560–1564
42. Определение оптимальных концентраций рабочих частиц в лазерных средах
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1338–1343
43. Усиление фазосопряженных плоских волн при мелкомасштабной самофокусировке света в стекле
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1010–1012
44. Деградация электронного возбуждения состояния ⁴F_3/2 ионов Nd³⁺ в монокристалле γ-La₂S₃
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  569–573
45. Особенности спектрально-люминесцентных свойств ионов Nd³⁺ полупроводника γ-La₂S₃
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  557–562
46. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома
    
    Квантовая электроника, 10:1 (1983),  140–144
47. Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой
    
    Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2531–2533
48. Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y₃Al₅O₁₂
    
    Квантовая электроника, 9:6 (1982),  1180–1185
49. Сенсибилизация излучения и ее применение для повышения эффективности активных сред твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  681–688
50. Развитие локальных возмущений в лазерных усилительных системах
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1468–1475
51. Генерация ультракоротких импульсов в лазере с двухкомпонентной средой при вынужденной синхронизации мод
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2019–2025
52. Влияние дефектов структуры кристаллов на излучательную рекомбинацию арсенида галлия
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  673–675


53. Поправка к статье: Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  752