Алпатьев Андрей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
   
   Квантовая электроника, 40:7 (2010),  604–614
2. Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке
   
   Квантовая электроника, 40:1 (2010),  35–39
3. Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска
   
   Квантовая электроника, 39:11 (2009),  1033–1040
4. Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho
   
   Квантовая электроника, 25:2 (1998),  151–154
5. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺ в стационарном и импульсном режимах
   
   Квантовая электроника, 25:1 (1998),  11–15
6. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера
   
   Квантовая электроника, 24:3 (1997),  209–212
7. Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но
   
   Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1105–1110
8. Генерация гигантских импульсов двухмикронными лазерами с выходным германиевым зеркалом
   
   Квантовая электроника, 18:6 (1991),  695–696
9. Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺ и ГСАГ:Сr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺
   
   Квантовая электроника, 18:2 (1991),  166–169
10. Лазер двухмикрометрового диапазона на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  861–863
11. Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr³⁺–Tm³⁺–Ho³⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2176–2179
12. Лазер с активными элементами из кристаллов ИСГГ : Cr, Nd и ИСГГ : Cr, Tm, Ho, излучающий на длинах волн 1,06 и 2,088 мкм
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  673–675
13. Генерация гигантского импульса в моде TEM₀₀ (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  672–673
14. Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  960–961
15. Эффективный лазер (λ = 2,088 мкм) на иттрий-скандий-галлиевом гранате с ионами хрома, тулия и гольмия при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  922–923
16. Генерация ионов гольмия на переходе⁵I₇→⁵I₈ при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
    
    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2127–2129


17. Поправка к статье: Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  752