Соколов Вячеслав Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Междоузельная молекула BiO как центр широкополосной ИК люминесценции в кварцевом стекле, легированном висмутом
   
   Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1080–1082
2. Показатель преломления монокристаллов моноизотонных ²⁸Si, ²⁹Si и ³⁰Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне
   
   Квантовая электроника, 40:9 (2010),  753–755
3. Механизм индуцированного изменения показателя преломления в фосфоросиликатном стекле
   
   Квантовая электроника, 40:3 (2010),  264–268
4. Фото- и термоиндуцированные реакции с участием водорода в волоконных световодах с высокой концентрацией германия в сердцевине
   
   Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1147–1154
5. Перестройка сетки фосфоросиликатного стекла под действием излучения на длине волны 193 нм
   
   Квантовая электроника, 38:10 (2008),  945–950
6. Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм
   
   Квантовая электроника, 37:6 (2007),  575–579
7. Фотоиндуцированное поглощение и наведение показателя преломления в фосфоросиликатных световодах под действием излучения c λ = 193 нм
   
   Квантовая электроника, 37:4 (2007),  388–392
8. Численное моделирование фотонно-кристаллических световодов из теллуритно-вольфраматного стекла для применения в параметрических волоконных устройствах
   
   Квантовая электроника, 36:1 (2006),  67–72
9. Ускоренная диффузия молекулярного водорода в германосиликатных световодах, насыщенных при высоком давлении
   
   Квантовая электроника, 35:3 (2005),  278–284
10. Модель дефекта — источника красной люминесценции — при записи решеток показателя преломления в волоконных световодах на основе германосиликатного стекла
    
    Квантовая электроника, 24:7 (1997),  617–621
11. Роль кислородных вакансий в механизме записи УФ излучением решеток показателя преломления в световодах и фотоиндуцированные структурные превращения в кварцевом стекле
    
    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  1013–1019
12. Косвенное обменное взаимодействие в металле с резонансными состояниями электронов на дефектах
    
    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1218–1220
13. Изомерный и найтовский сдвиги в проводнике с резонансными состояниями электронов на дефектах
    
    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  892–894