RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Рыбалтовский Андрей Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Иттербиевый волоконный лазер, работающий в режиме переключения усиления на длине волны 1127 нм

    Квантовая электроника, 54:2 (2024),  95–99
  2. Оптические волокна с массивом волоконных брэгговских решеток для сенсорных систем и случайных лазеров

    Квантовая электроника, 51:12 (2021),  1101–1106
  3. Фоточувствительность эрбиевых композитных фосфоросиликатных световодов к лазерному излучению с длиной волны 193 нм

    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1132–1136
  4. Фоточувствительность иттербиевых волоконных световодов с сердцевиной из кварцевого стекла с добавкой алюминия и фосфора

    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  1–8
  5. Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия

    Квантовая электроника, 44:12 (2014),  1129–1135
  6. Роль кислородно-дырочных центров окраски в механизме фотопотемнения фосфоросиликатных световодов, легированных оксидом иттербия

    Квантовая электроника, 43:11 (2013),  1037–1042
  7. Фотоиндуцированное поглощение и люминесценция в волоконных световодах, легированных ионами иттербия

    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1073–1079
  8. Оптические свойства световодов с сердцевиной из фосфороалюмосиликатного стекла

    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  857–862
  9. Фото- и термоиндуцированные реакции с участием водорода в волоконных световодах с высокой концентрацией германия в сердцевине

    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1147–1154
  10. Фотоиндуцированное поглощение и наведение показателя преломления в фосфоросиликатных световодах под действием излучения c λ = 193 нм

    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  388–392
  11. Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO2 под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм)

    Квантовая электроника, 36:2 (2006),  145–148
  12. Ускоренная диффузия молекулярного водорода в германосиликатных световодах, насыщенных при высоком давлении

    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  278–284
  13. Фоточувствительность волоконных световодов, легированных различными примесями

    Квантовая электроника, 34:2 (2004),  175–179
  14. Исследование динамики преобразования точечных дефектов в фосфоросиликатных световодах по наведенному показателю преломления

    Квантовая электроника, 33:10 (2003),  919–925
  15. Волоконные световоды на основе кварцевого стекла, легированного серой

    Квантовая электроника, 33:1 (2003),  90–94
  16. Особенности проявления фоточувствительности в фосфоросиликатных световодах с малыми потерями

    Квантовая электроника, 32:2 (2002),  124–128
  17. Запись длиннопериодной решетки в волоконном световоде с помощью излучения второй гармоники фемтосекундного лазера на Ti:сапфире

    Квантовая электроника, 31:11 (2001),  999–1002


© МИАН, 2026