|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 122–127
-
Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1497–1503
-
Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики
Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1593–1596
-
Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1561–1565
-
Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1532–1536
-
Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям
ЖТФ, 81:7 (2011), 149–151
-
Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 652–656
-
Особенности филаментации фемтосекундного лазерного излучения с негауссовым поперечным пространственным профилем
Квантовая электроника, 41:11 (2011), 958–962
-
Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1543–1546
-
Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности
Квантовая электроника, 40:10 (2010), 855–857
-
IV Всесоюзный симпозиум по световому эху (Куйбышев, 23 – 26 мая 1989 г.)
Квантовая электроника, 17:2 (1990), 252–254
© , 2026