Марычев Михаил Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1431–1440
2. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
3. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
4. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с $p$–$n$-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  87–92
5. Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm³⁺:Lu₂O₃ и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе
   
   Квантовая электроника, 41:10 (2011),  863–868
6. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648


7. Поправка к статье: Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm³⁺:Lu₂O₃ и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе
   
   Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1130