Касаткин Александр Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
2. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
   
   ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
3. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1639–1643
4. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
5. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния
   
   Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  78–84
6. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник
   
   Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  52–60
7. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
8. Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$
   
   Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  81–89
9. Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота
   
   Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  62–70
10. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 40:19 (2014),  18–26
11. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
12. Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  12–19
13. Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония
    
    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  72–79
14. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок диоксида германия, легированных ионами Er$^{3+}$ и Yb$^{3+}$
    
    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  71–77
15. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  60–65
16. Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm³⁺:Lu₂O₃ и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе
    
    Квантовая электроника, 41:10 (2011),  863–868
17. Влияние пересыщения на активность центров роста
    
    Докл. АН СССР, 154:4 (1964),  827–828


18. Поправка к статье: Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm³⁺:Lu₂O₃ и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе
    
    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1130