RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Горшков Олег Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. In situ исследование роста филаментов в пленках стабилизированного диоксида циркония методом контактной емкостной атомно-силовой микроскопии

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1441–1445
  2. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)

    ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
  3. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)

    ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
  4. Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами

    Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  5–8
  5. Изучение оптически наведенного заряда наночастиц Au в пленках ZrO$_2$(Y) методом сканирующей Кельвин-зонд микроскопии

    ЖТФ, 92:12 (2022),  1937–1942
  6. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni

    ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
  7. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
  8. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
  9. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)

    Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
  10. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами

    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
  11. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии

    ЖТФ, 90:11 (2020),  1825–1829
  12. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния

    ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
  13. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала

    ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
  14. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si

    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
  15. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии

    ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
  16. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния

    ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
  17. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота

    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
  18. A comparative analysis of the observed effects of 2d tunneling bifurcations for quasi-one-dimensional and quasi-two-dimensional au-qd systems in an external electric field

    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  724–734
  19. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
  20. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
  21. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  88–93
  22. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства

    ЖТФ, 87:8 (2017),  1248–1254
  23. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$

    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
  24. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1639–1643
  25. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
  26. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния

    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  78–84
  27. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки

    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
  28. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник

    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  52–60
  29. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления

    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
  30. Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$

    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  81–89
  31. Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота

    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  62–70
  32. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb

    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  607–610
  33. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник

    Письма в ЖТФ, 40:19 (2014),  18–26
  34. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
  35. Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония

    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  12–19
  36. Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония

    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  72–79
  37. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок диоксида германия, легированных ионами Er$^{3+}$ и Yb$^{3+}$

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  71–77
  38. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации

    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  60–65
  39. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов

    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2294–2298
  40. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
  41. Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm3+:Lu2O3 и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе

    Квантовая электроника, 41:10 (2011),  863–868
  42. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
  43. Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2,  123–135
  44. Люминесценция пленок Cr4+:Ca2GeO4 в ближней ИК области спектра

    Квантовая электроника, 30:3 (2000),  261–262
  45. Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  189–191

  46. Поправка к статье: Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm3+:Lu2O3 и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе

    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1130

© МИАН, 2026