Волков Никита Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181
2. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
3. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
4. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
   
   Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
5. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
6. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
7. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
8. Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты
   
   Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696
9. Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 38:8 (2008),  744–746