Чернов Роман Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D₂ цезия
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  970–975
2. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
3. Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146
4. Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  649–652
5. Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501
6. Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов
   
   ЖТФ, 86:10 (2016),  83–88
7. Характеристики лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой с различной длиной световода
   
   ЖТФ, 84:3 (2014),  108–112
8. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  100–103
9. Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:2 (2014),  149–156
10. Экспериментальное исследование низкочастотных амплитудных шумов лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  824–827
11. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
12. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
13. Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой
    
    ЖТФ, 82:6 (2012),  63–68
14. Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696
15. Оценка надежности полупроводникового излучателя ИЛПН-134
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  377–382
16. Исследование характеристик одночастотного лазера, предназначенного для накачки цезиевых стандартов частоты
    
    Квантовая электроника, 38:4 (2008),  319–324
17. Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs
    
    Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548
18. Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP
    
    Квантовая электроника, 36:10 (2006),  918–924
19. Одночастотный лазер с подстройкой длины волны для накачки цезиевых стандартов частоты
    
    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  741–744
20. Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  15–19
21. Влияние паразитных элементов мезаполоскового лазера на его амплитудно-частотную характеристику
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  425–429
22. Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs
    
    Квантовая электроника, 32:4 (2002),  303–307
23. Динамика излучения полупроводникового лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  845–847


24. Поправка к статье: Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564