Давыдова Евгения Ивановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
   
   Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
2. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
3. Повышение порога оптического разрушения фронтального зеркала полупроводникового лазера при пассивации ZnSe
   
   Квантовая электроника, 41:5 (2011),  423–426
4. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
5. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
6. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
7. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом
   
   Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
8. Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы
   
   Квантовая электроника, 34:9 (2004),  805–808
9. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода
   
   Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104
10. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
11. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
12. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031
13. Инжекционный лазер с волноводной линзой
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2173–2176