Михайлов Виктор Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке на переходе ³H₆ – ³F₄
   
   Квантовая электроника, 46:3 (2016),  189–192
2. Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  895–898
3. Исследование Tm:Sc₂SiO₅ лазера c накачкой на переходе ³H₆ – ³F₄ ионов Tm³⁺
   
   Квантовая электроника, 43:11 (2013),  989–993
4. Tm:Sc₂SiO₅-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой
   
   Квантовая электроника, 41:5 (2011),  420–422
5. Исследование Tm:Ho:YLF-лазера при накачке волоконным эрбиевым рамановским лазером на длине волны 1678 нм
   
   Квантовая электроника, 40:4 (2010),  296–300
6. Новое высокопрочное неодимовое лазерное стекло на фосфатной основе
   
   Квантовая электроника, 39:12 (2009),  1117–1120
7. Исследование возможности создания мультикиловаттного твердотельного лазера с многоканальной диодной накачкой на основе оптически плотных активных сред
   
   Квантовая электроника, 37:10 (2007),  910–915
8. Квазитрехуровневый Nd³⁺:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм
   
   Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
9. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазере с диодной накачкой
   
   Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
10. Квазитрехуровневый Nd:GdVO₄-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
11. Коротковолновый (λ = 914 нм) микролазер на кристалле YVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  13–14
12. Многослойное волноводно-решеточное зеркало в резонаторе Фабри — Перо твердотельного лазера на основе александрита
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  175–178
13. Нелинейное поглощение в кристаллах КТР
    
    Квантовая электроника, 24:4 (1997),  367–370
14. GdVO₄:Tm³⁺ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 24:1 (1997),  15–16
15. Изменение показателей преломления в кристалле КТР при воздействии моноимпульсов излучения с длиной волны 0.53 мкм
    
    Квантовая электроника, 20:8 (1993),  801–804
16. ИСГГ:Cr:Er-лазер со светодиодной доставкой излучения для целей интракорпоральной литотрипсии
    
    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  194–197
17. ИСГГ:Cr, Nd-лазер с КПД 1,5–2 % на частоте излучения, удвоенной в кристалле КТР
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1038–1040
18. Высокоэффективный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с поляризационно замкнутым резонатором
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  805–807
19. Моноимпульсный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 4 %
    
    Квантовая электроника, 18:5 (1991),  579–581
20. Исследование лазера на ИАГ:Nd с поляризационно замкнутыми резонаторами
    
    Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1637–1638
21. Пространственное усреднение коэффициента усиления в твердотельных активных элементах
    
    Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1559–1560
22. Метод улучшения пространственной однородности излучения лазера с поляризационным выводом излучения
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  453–454
23. Высокоэффективный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с удвоением частоты излучения в кристалле КТР
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1601–1604
24. ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 3,6 %, энергией линейно поляризованного излучения в моноимпульсе 0,46 Дж и частотой повторения импульсов 50 Гц
    
    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  67–69
25. ГСГГ–Cr, Nd-лазер с призменным резонатором и поляризационным выводом излучения
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2349–2350