Рябцев Андрей Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности формирования потока излучения в диодно-накачиваемых лазерах и усилителях с активными элементами из Nd : YAG-керамики
   
   Квантовая электроника, 52:5 (2022),  449–453
2. Электронное строение и спектрально-флуоресцентные свойства лазерных красителей тиопирило-4-трикарбоцианинов
   
   Оптика и спектроскопия, 129:7 (2021),  862–870
3. Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки
   
   Квантовая электроника, 50:9 (2020),  822–825
4. Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод
   
   ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318
5. Мощный параметрический генератор света на основе задающего Nd : KGW-лазера с высокой частотой следования импульсов
   
   Квантовая электроника, 47:4 (2017),  308–312
6. Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля
   
   Квантовая электроника, 46:10 (2016),  870–872
7. Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006
8. Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов
   
   Квантовая электроника, 41:2 (2011),  95–98
9. Параметры выходного пучка YVO₄/Nd:YVO₄-лазера с продольной диодной накачкой
   
   Квантовая электроника, 36:10 (2006),  925–927
10. Влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 32:3 (2002),  260–263


11. Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2050–2053