Ильченко Степан Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Увеличение порога катастрофической оптической деградации до 500 мВт в СЛД диапазона 800 – 900 нм с расширенными волноводным слоями
   
   Квантовая электроника, 55:3 (2025),  154–157
2. Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  931–935
3. Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами
   
   Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813
4. Перестраиваемый лазер на основе полупроводникового оптического усилителя красного диапазона спектра
   
   Квантовая электроника, 49:5 (2019),  493–496
5. Высокоэффективные поперечно-одномодовые суперлюминесцентные диоды красного диапазона спектра
   
   Квантовая электроника, 47:12 (2017),  1154–1157
6. Параметрическое усиление широкополосного излучения непрерывного суперлюминесцентного диода при пикосекундной накачке
   
   Квантовая электроника, 46:9 (2016),  811–814
7. Мощные высоконадёжные суперлюминесцентные диоды с тремя одномодовыми активными каналами
   
   Квантовая электроника, 46:7 (2016),  594–596
8. Поперечно-одномодовые суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра с непрерывной выходной мощностью до 100 мВт
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  903–906
9. Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм
   
   Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998
10. Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963
11. Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680
12. Изменение выходных характеристик широкополосных суперлюминесцентных диодов в ходе продолжительной работы
    
    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  595–601