Безотосный Виктор Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ устройства на основе многосердцевинного световода с коническим сужением сердцевин для суммирования излучения в многоканальных лазерных системах
   
   Квантовая электроника, 53:12 (2023),  905–911
2. Термоупругие напряжения в мощных непрерывных линейках лазерных диодов, смонтированных на сабмаунтах из CuW и AlN
   
   Квантовая электроника, 52:5 (2022),  443–448
3. Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя
   
   Квантовая электроника, 51:3 (2021),  196–200
4. Разогрев водных суспензий наночастиц кремния при воздействии излучения лазерного диода с длиной волны 808 нм для применений в методе локальной фотогипертермии
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  104–108
5. Генерационные характеристики новых лазерных керамик отечественного производства
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  802–806
6. Влияние уровня накачки на однородность распределения мощности и спектра по излучающей апертуре непрерывных линеек лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 48:6 (2018),  502–505
7. Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках
   
   Квантовая электроника, 48:2 (2018),  115–118
8. Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм
   
   Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6
9. Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт
   
   Квантовая электроника, 46:8 (2016),  679–681
10. Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов
    
    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1088–1090
11. Применение диодных лазеров в светокислородной терапии рака
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  129–134
12. Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800–808 нм в импульсном режиме
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  114–119
13. Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  109–113
14. Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  899–902
15. Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм
    
    Квантовая электроника, 44:2 (2014),  145–148
16. Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  959–960
17. Симметрия пространственной структуры излучения при синхронизации поперечных мод в лазере с астигматическим резонатором
    
    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  759–764
18. Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243
19. Модификация структуры металлических пленок излучением твердотельного лазера с диодной накачкой для повышения выходных параметров мощных лазерных диодов
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1055–1059
20. Высокоэффективный компактный Nd³⁺:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором
    
    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  507–510
21. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
22. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
23. Экспериментальное изучение и моделирование излучательных характеристик мощных непрерывных инжекционных лазеров спектрального диапазона 808 нм с полным КПД до 50%
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  611–615
24. Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50%
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  303–304
25. Моделирование тепловых параметров мощных линеек лазерных диодов. Двумерная нестационарная модель
    
    Квантовая электроника, 25:3 (1998),  225–228
26. Предельные выходные параметры линеек и матриц лазерных диодов
    
    Квантовая электроника, 24:6 (1997),  495–498
27. Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов
    
    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  974–976
28. Тепловой режим мощных монолитных линеек инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  775–778
29. Моделирование и экспериментальное изучение инжекционных AlGaAs/GaAs-лазеров спектрального диапазона 780 — 808 нмс электронными сверхрешеточными барьерами
    
    Квантовая электроника, 22:3 (1995),  216–218
30. Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 22:2 (1995),  101–104
31. Сужение диаграммы направленности мощных инжекционных лазеров с широким полосковым контактом с помощью внешнего микроселектора
    
    Квантовая электроника, 21:1 (1994),  57–58
32. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)
    
    ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
33. О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1994–1996
34. Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1985–1987
35. Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1990–1992