Забродский Владимир Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование процессов облучения структур Cr/4H-SiC высокоэнергетическими ионами Ar
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1157–1163
2. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  43–47
3. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49
4. Определение эффективного заряда плазмы по ее излучению в рентгеновской области спектра
   
   Письма в ЖТФ, 50:24 (2024),  63–66
5. Памяти Серенкова И.Т. Кремниевый лавинный фотодиод с фронтом нарастания фотоотклика меньше 350 ps на длине волны 1064 nm
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  15–18
6. Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
   
   ЖТФ, 93:4 (2023),  562–567
7. Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  289–294
8. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  997–1001
9. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  904–907
10. Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  254–258
11. Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114–170 и 210–1100 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  3–6
12. Измерение электронной температуры плазмы фольговым рентгеновским спектрометром, установленным на токамаках ТУМАН-3М и Глобус-М2
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  1922–1929
13. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120–170 nm
    
    ЖТФ, 90:8 (2020),  1386–1392
14. Детектор для регистрации электронов с энергией 5–30 keV в установке “Троицк ню-масс”
    
    ЖТФ, 90:4 (2020),  693–698
15. Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1368–1373
16. Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
    
    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1244–1248
17. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
18. Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  195–201
19. Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  856–861
20. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
21. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
22. Регистрация ультрафиолетового излучения широких атмосферных ливней: перспективы для черенковской гамма-астрономии
    
    ЖТФ, 88:11 (2018),  1655–1666
23. Черенковские гамма-телескопы: прошлое, настоящее, будущее. Проект ALEGRO
    
    ЖТФ, 87:6 (2017),  803–821
24. Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  632–636
25. Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  53–60
26. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
27. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
28. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
29. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
30. Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  73–78
31. Воздействие УФ предыонизационного импульса на выход коротковолнового излучения из лазерно-плазменного источника с Xe газоструйной мишенью
    
    Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  38–44
32. Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  23–29
33. Источники электромагнитного излучения на основе малоиндуктивного протяженного $z$-разряда
    
    ЖТФ, 83:2 (2013),  43–51
34. Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  178–181
35. Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода в приборостроении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  174–177
36. Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  69–77
37. Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948
38. Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438