RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бер Борис Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование твердых растворов InPAs методом твердофазного замещения

    Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  49–52
  2. Водородные дефекты в алмазах: исследование и определение содержания N$_3$VH с использованием масс-спектрометрии вторичных ионов и инфракрасной спектроскопии

    Оптика и спектроскопия, 133:6 (2025),  626–636
  3. Фактор мощности углеродных волокон

    Физика твердого тела, 66:5 (2024),  703–707
  4. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия

    ЖТФ, 94:5 (2024),  801–807
  5. Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  134–141
  6. Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb

    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  20–22
  7. Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме

    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087
  8. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
  9. Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684
  10. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения

    Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
  11. Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  513–517
  12. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
  13. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
  14. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
  15. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm

    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
  16. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
  17. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона

    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
  18. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN

    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
  19. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
  20. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
  21. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
  22. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
  23. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs

    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
  24. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
  25. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
  26. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
  27. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
  28. Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам

    ЖТФ, 86:3 (2016),  51–57
  29. Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  979–986
  30. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
  31. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода

    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
  32. О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC

    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67
  33. Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1164–1168
  34. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
  35. Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете

    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  23–29
  36. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb

    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
  37. Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете

    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  178–181
  38. Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете

    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  69–77
  39. Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием

    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948
  40. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
  41. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  770–777
  42. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
  43. Массоперенос при термо-электрополевой модификации стеклометаллических нанокомпозитов

    ЖТФ, 80:11 (2010),  53–61
  44. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
  45. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)

    Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76
  46. Лазерное формирование омических контактов к арсениду галлия $n$-типа

    Письма в ЖТФ, 17:20 (1991),  74–79
  47. Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом

    ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366
  48. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
  49. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
  50. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
  51. Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721
  52. Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы

    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968
  53. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274
  54. Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754

© МИАН, 2026