Аруев Павел Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Памяти Серенкова И.Т. Кремниевый лавинный фотодиод с фронтом нарастания фотоотклика меньше 350 ps на длине волны 1064 nm
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  15–18
2. Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  289–294
3. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  904–907
4. Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114–170 и 210–1100 nm
   
   Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  3–6
5. Измерение электронной температуры плазмы фольговым рентгеновским спектрометром, установленным на токамаках ТУМАН-3М и Глобус-М2
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  1922–1929
6. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120–170 nm
   
   ЖТФ, 90:8 (2020),  1386–1392
7. Детектор для регистрации электронов с энергией 5–30 keV в установке “Троицк ню-масс”
   
   ЖТФ, 90:4 (2020),  693–698
8. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
9. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
   
   Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
10. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
11. Регистрация ультрафиолетового излучения широких атмосферных ливней: перспективы для черенковской гамма-астрономии
    
    ЖТФ, 88:11 (2018),  1655–1666
12. Черенковские гамма-телескопы: прошлое, настоящее, будущее. Проект ALEGRO
    
    ЖТФ, 87:6 (2017),  803–821
13. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
14. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
15. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
16. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
17. Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  23–29
18. Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  178–181
19. Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода в приборостроении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  174–177
20. Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  69–77
21. Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948