Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb
Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 33–35
-
Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов
ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера
Квантовая электроника, 46:10 (2016), 903–910
-
Фотоиндуцированное перераспределение заряда и его влияние на экситонные состояния в гетероструктурах Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами
Физика твердого тела, 56:4 (2014), 769–778
-
Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 42:7 (2012), 583–587
-
Лазерная электронно-лучевая трубка с монолитным лазерным экраном
Квантовая электроника, 37:9 (2007), 853–856
© , 2026