Фролов Михаил Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с внутрирезонаторной накачкой в квантовые ямы
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:4 (2025),  201–207
2. Импульсный 2.77 $\mu$m Cr$^{2+}$:CdSe-лазер с выходной энергией 1.2 J
   
   Письма в ЖТФ, 51:2 (2025),  22–25
3. Мощный лазер на кристалле CdSSe с длиной волны излучения 623.5 нм при продольной двухфотонной накачке
   
   Квантовая электроника, 55:2 (2025),  69–75
4. Мощный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы
   
   Квантовая электроника, 53:12 (2023),  891–897
5. Фемтосекундный Cr²⁺:ZnSe-лазер с синхронизацией мод на основе углеродных нанотрубок
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  867–872
6. Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  636–640
7. Измерение шумов интенсивности и стабильности частоты повторения импульсов Сr:ZnSe-лазера с пассивной синхронизацией мод
   
   Оптика и спектроскопия, 130:4 (2022),  564–568
8. Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер с термоэлектрическим охлаждением
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  641–648
9. Наносекундный Fe : ZnSe-лазер, накачиваемый внутри резонатора Er : YLF-лазера с поперечной диодной накачкой и работающий при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 48:8 (2018),  686–690
10. Эффективная генерация Fe²⁺ : ZnSe-лазера при комнатной температуре с накачкой излучением Er : YAG-лазера с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 47:9 (2017),  831–834
11. Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера
    
    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  903–910
12. Лазер на монокристалле ZnS : Fe²⁺, возбуждаемый при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  769–771
13. Лазер на ZnSe:Fe²⁺ с энергией излучения 1.2 Дж при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 46:1 (2016),  11–12
14. Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  1–7
15. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия c использованием непрерывного Cr²⁺ : ZnSe-лазера с накачкой полупроводниковым дисковым лазером
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  885–889
16. Наблюдение резонансов насыщенной дисперсии метана в двухмодовом Cr²⁺:ZnSe/CH₄-лазере
    
    Квантовая электроника, 42:7 (2012),  565–566
17. Перестраиваемый двухмодовый Cr²⁺:ZnSe-лазер со спектральной плотностью частотных шумов 0,03 Гц/Гц^½
    
    Квантовая электроника, 42:6 (2012),  509–513
18. Импульсный Fe²⁺:ZnS-лазер с плавной перестройкой длины волны в области 3.49 — 4.65 мкм
    
    Квантовая электроника, 41:1 (2011),  1–3
19. Непрерывный Cr²⁺:CdS-лазер
    
    Квантовая электроника, 40:1 (2010),  7–10
20. Fe²⁺:ZnSe-лазер, работающий в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1113–1116
21. Лазер на основе кристалла Cr²⁺:CdS, перестраиваемый в спектральной области 2.2 — 3.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  803–804
22. Эффективный импульсный Cr²⁺:CdSe-лазер с плавной перестройкой длины волны в спектральном диапазоне 2.26 — 3.61 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  205–208
23. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия с использованием Fe²⁺:ZnSe-лазера
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1071–1075
24. Эффективная генерация Cr²⁺:CdSe-лазера в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  991–992
25. Эффективная лазерная генерация кристалла Fe²⁺:ZnSe при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  299–301
26. Пассивный затвор на основе монокристалла Fe²⁺:ZnSe для модуляции добротности лазеров трехмикронного диапазона
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  1–2
27. Лазерные характеристики кристалла Fe:ZnSe в диапазоне температур 85–255 K
    
    Квантовая электроника, 35:9 (2005),  809–812
28. Спектральная динамика внутрирезонаторного поглощения в импульсном Cr²⁺:ZnSe-лазере
    
    Квантовая электроника, 35:5 (2005),  425–428
29. Измерение вероятности перехода O₂(b¹Σ_g⁺ → a¹Δ_g) методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  378–384
30. Эффективный ИК лазер на кристалле ZnSe:Fe с плавной перестройкой в спектральном диапазоне 3.77–4.40 мкм
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  912–914
31. Импульсный электроионизационный разряд в кислородсодержащих газовых смесях: электрические характеристики, спектроскопия и выход синглетного кислорода
    
    Квантовая электроника, 34:9 (2004),  865–870
32. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия с использованием Cr²⁺:ZnSe-лазера
    
    Квантовая электроника, 34:2 (2004),  185–188
33. Эффективная лазерная генерация на кристалле Cr²⁺:ZnSe, выращенном из паровой фазы
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  408–410
34. Прямая регистрация синглетного кислорода O₂(a¹ Δ_g) методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии по поглощению на переходе a¹ Δ_g → b¹ Σ_g⁺
    
    Квантовая электроника, 31:4 (2001),  363–366
35. Конденсация спектра генерации широкополосного лазера при внутрирезонаторном рассеянии излучения на аэрозоле
    
    Квантовая электроника, 30:8 (2000),  669–672
36. Преобразование дифракционных картин от экранов в дифракционные картины от дополнительных им экранов при рассеянии на возмущении газа или частице в каустике лазерного пучка
    
    Квантовая электроника, 29:3 (1999),  265–268
37. Высокочувствительная регистрация газовых примесей методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии на основе MgF₂:Co-лазера
    
    Квантовая электроника, 28:2 (1999),  186–188
38. Динамика внутрирезонаторного поглощения в спектре MgF₂:Co-лазера при длительности генерации до 1 мс
    
    Квантовая электроника, 26:3 (1999),  223–225
39. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия на основе MgF₂:Co-лазера
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  670–672
40. Эффективная генерация лазера на кристалле MgF₂:Co при накачке излучением импульсного кислородно-иодного лазера
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  299–300
41. Эффективная лазерная накачка кристалла MgF₂:Co излучением с длиной волны 1.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 24:7 (1997),  606–608
42. Измерение концентраций кислорода и паров воды и определение температуры активной среды в химическом кислородно-иодном лазере методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 23:7 (1996),  611–614
43. Прямое измерение разности населенностей на переходе b–X радикала NF методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 22:7 (1995),  692–694
44. Численное моделирование извлечения энергии из смеси синглетного кислорода с йодом при усилении короткого импульса
    
    Квантовая электроника, 22:2 (1995),  113–116
45. Внутрирезонаторная ГВГ в импульсном химическом кислородно-йодном лазере
    
    Квантовая электроника, 19:4 (1992),  407–409
46. Оптическое возбуждение перехода B²Σ_1/2⁺ → X²Σ_1/2⁺ радикала HgBr при последовательном воздействии излучения четвертой (264 нм) и третьей (352 нм) гармоники лазера на неодимовом стекле на пары HgBr₂
    
    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1439–1441
47. Влияние атомарного кислорода на диссоциацию молекулярного йода и диссипацию энергозапаса в активной среде кислородно-йодного лазера
    
    Квантовая электроника, 18:8 (1991),  912–917
48. Влияние молекулярного хлора на выходную энергию импульсного химического кислородно-йодного лазера
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  840–843
49. Люминесценция продуктов химического генератора синглетного кислорода в видимом и ближнем ИК диапазонах спектра
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  832–836
50. О влиянии донора йода на энергию генерации импульсного кислородно-йодного лазера
    
    Квантовая электроника, 18:1 (1991),  33–37
51. К вопросу о генерации химического кислородно-йодного лазера в видимом диапазоне
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  204–205
52. Кислородно-йодный лазер с фотодиссоционным источником возбужденного кислорода O₂(a¹Δ_g)
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1095–1097
53. Квазинепрерывная генерация IF(B–X)-лазера с уровней, заселяемых в процессе VT-релаксации
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2337–2340
54. Импульсный IF(B→X)-лазер с оптической накачкой на смеси CF₃I–NF₂–He
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  995–1001
55. О влиянии многоатомных газов на энергию генерации фотоинициируемого H₂–F₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1563–1567
56. Исследование энергетики импульсного химического H₂–F₂-лазера при низких парциальных давлениях водорода и фтора
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1558–1562
57. Влияние длины волны лазерного излучения на изменение потенциала заряженной мишени
    
    ЖТФ, 56:4 (1986),  780–782
58. Исследование возможности получения коротких импульсов излучения в химическом H₂–F₂-лазере атмосферного давления
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1065–1068
59. Об эффективности инициирования импульсного H₂–F₂-лазера фотолизом и электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2126–2128
60. Измерение абсолютной концентрации атомов фтора по поглощению УФ излучения радикалами FO₂
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1693–1695
61. Определение степени фотодиссоциации F$_2$ с помощью измерения температуры методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1069–1072
62. О возможности исследования формы линий поглощения методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1028–1033
63. Измерение спектра поглощения атмосферного воздуха в диапазоне 5850–5930 Å методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1328–1331
64. Спектроскопия высокой чувствительности с использованием ОКГ на красителях
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1245–1247