Зверев Георгий Митрофанович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование расходимости излучения и энергетической эффективности импульсного YAG : Nd³⁺-лазера с поперечной накачкой линейками лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 34:6 (2004),  511–515
2. Исследование лазера на кристалле KGW:Nd³⁺ с поперечной накачкой линейками лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 34:1 (2004),  20–22
3. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
4. Высокоэффективный мини-лазер с импульсной поперечной полупроводниковой накачкой для безопасной лазерной дальнометрии
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  210–212
5. Эффективность поперечной накачки импульсного твердотельного лазера на Nd:YAG линейками лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  205–209
6. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
   
   Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
7. Лазерные свойства кристаллов $\alpha$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3\cdot\mathrm{Ti}^{3+}$
   
   Докл. АН СССР, 282:4 (1985),  848–850
8. Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме
   
   Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1961–1963
9. Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой
   
   Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2531–2533
10. Лазеры на АИГ : Nd со светодиодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2408–2417
11. Влияние процессов адсорбции воды на лазерную прочность диэлектрических покрытий из двуокиси титана
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2274–2276
12. Электрооптический затвор на танталате лития
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1601–1602
13. Контрастность и различные схемы включения затворов из ниобата лития в лазерах на алюмо-иттриевом гранате с неодимом
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1591–1592
14. О стойкости интерференционных диэлектрических зеркал к действию лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  44–50
15. Влияние поверхностного слоя на стойкость ниобата лития к действию лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  1882–1889
16. Кинетика видимой люминесценции ионов Er³⁺ в La₂O₂S, активированном Yb³⁺ и Er³⁺, при ИК возбуждении
    
    Квантовая электроника, 4:4 (1977),  866–871
17. Исследование процессов разрушения диэлектрических пленок под действием лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  413–419
18. Передача энергии возбуждения между ионами трехвалентных редкоземельных элементов в кристаллах
    
    Квантовая электроника, 2:3 (1975),  469–481
19. Оптическая однородность рубиновых элементов и генерационные потери
    
    Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  126–129
20. Разрушение поверхности монокристаллов ниобата и танталата лития под действием лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  94–96
21. Применение парамагнитных кристаллов в квантовой электронике
    
    УФН, 77:1 (1962),  61–108


22. Памяти Вячеслава Васильевича Осико (28 марта 1932 г. – 15 ноября 2019 г.)
    
    Квантовая электроника, 50:1 (2020),  94
23. Митрофан Федорович Стельмах
    
    Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1179
24. Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290
25. К 80-летию Валентина Георгиевича Дмитриева (15.11.1936–15.09.2011)
    
    Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1065
26. Памяти Александра Алексеевича Маненкова (02.01.1930 – 26.03.2014)
    
    Квантовая электроника, 44:6 (2014),  612
27. Памяти Александра Аполлоновича Казакова
    
    Квантовая электроника, 42:4 (2012),  375
28. Валентин Георгиевич Дмитриев (15 ноября 1936 г. — 15 сентября 2011 г.)
    
    Квантовая электроника, 41:10 (2011),  956
29. Памяти М. Ф. Стельмаха (1918 — 1993)
    
    Квантовая электроника, 39:1 (2009),  110