RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кутовой Сергей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Коллапс и возрождение электронного спинового эха примесных ионов Yb$^{3+}$ на скрытых частотных гребенках сверхтонких взаимодействий в монокристалле Y$_2$SiO$_5$

    Письма в ЖЭТФ, 115:6 (2022),  394–400
  2. Спектроскопия иттриевого скандата, легированного ионами тулия

    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2004–2008
  3. Излучение молекулярного азота при бомбардировке электронами пиролитического аэрогеля SiO$_2$ и алюминия

    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  652–657
  4. ЭПР-спектроскопия примесных ионов тулия в монокристаллах ортосиликата иттрия

    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  211–216
  5. Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H63F4

    Квантовая электроника, 46:3 (2016),  189–192
  6. Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb3Al5O12 при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм

    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  895–898
  7. Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов

    Квантовая электроника, 44:1 (2014),  7–12
  8. Исследование Tm:Sc2SiO5 лазера c накачкой на переходе 3H63F4 ионов Tm3+

    Квантовая электроника, 43:11 (2013),  989–993
  9. Структурные превращения в кристаллах LiGd$_9$(SiO$_4$)$_6$O$_2$ и Ca$_2$Gd$_8$(SiO$_4$)$_6$O$_2$, содержащих изолированные [SiO$_4$]-комплексы: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

    Физика твердого тела, 54:8 (2012),  1533–1539
  10. Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов сo взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения

    Квантовая электроника, 42:5 (2012),  420–426
  11. Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

    Квантовая электроника, 42:3 (2012),  208–210
  12. Лазеры на кристаллах ванадатов с σ-поляризацией генерируемого излучения

    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  584–589
  13. Tm:Sc2SiO5-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 41:5 (2011),  420–422
  14. Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси c

    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  802–806
  15. Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов

    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  227–232
  16. Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  938–940
  17. Квазитрехуровневый Nd3+:Gd0.7Y0.3VO4-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм

    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
  18. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd0.7Y0.3VO4-лазере с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
  19. Квазитрехуровневый Nd:GdVO4-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
  20. Скандоборат церия — активно-нелинейная среда для лазеров с диодной накачкой.

    Квантовая электроника, 25:1 (1998),  53–57
  21. Скандоборат лантана – новая высокоэффективная среда для твердотельных лазеров

    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  149–150


© МИАН, 2026