Насибов Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом
   
   Квантовая электроника, 45:6 (2015),  521–526
2. Линейное и нелинейное пропускание кристалла ZnSe, легированного Fe²⁺, на длине волны 2940 нм в диапазоне температур 20 – 220 °С
   
   Квантовая электроника, 44:3 (2014),  213–216
3. Лазерное излучение мишеней газового диода из соединений CdS_хSe_1-х
   
   Квантовая электроника, 44:3 (2014),  201–205
4. Лазер на кристалле ZnSe:Fe²⁺ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 44:2 (2014),  141–144
5. Излучение полупроводниковой мишени газового диода, возбуждаемой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 42:1 (2012),  34–38
6. Влияние примеси железа на люминесценцию и фотопроводимость кристаллов ZnSe в видимой области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1171–1174
7. Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  463–466
8. Получение и оптические свойства кристаллов ZnSe : Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  149–153
9. Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем
   
   Квантовая электроника, 38:9 (2008),  829–832
10. Генерация лазерного излучения в монокристаллах селенида цинка под действием субнаносекундных импульсов высокого напряжения
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  213–214
11. Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe²⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  95–96
12. Пассивная модуляция добротности лазера на стекле с эрбием с помощью кристалла ZnSe:Co²⁺
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  974–980
13. Гидродинамический КПД лазерного переноса вещества
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  405–408
14. Прямая лазерная печать вязкими красками
    
    Квантовая электроника, 36:2 (2006),  159–162
15. Исследование нелинейного пропускания кристаллов ZnSe:Co²⁺ на длине волны 1.54 мкм
    
    Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1169–1172
16. Лазеры на парах меди и золота для спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 25:5 (1998),  416–418
17. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  756–758
18. Экситонная пьезоспектроскопия твердых растворов полупроводников со структурным фазовым переходом сфалерит$-$вюрцит
    
    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1077–1085
19. Экситонные механизмы в излучательных процессах идеальных твердых растворов полупроводников (система Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, ${0<x<1}$)
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  70–78
20. Лазер с продольной накачкой CdHgTe электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2034–2036
21. Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры люминесценции кристаллов CdS
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  201–205
22. Лазерная ЭЛТ мощностью 5 Вт с дифференциальной эффективностью 14% при 300 K
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  689–693
23. Гетероструктуры CdS_xSe_1–x/CdS в лазерах с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  1994–1997
24. Высокоэффективный полупроводниковый лазер с продольной накачкой арсенида галлия сканирующим электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  170–176
25. Разрушение монокристаллов CdS собственным лазерным излучением
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  164–169
26. Монокристаллы твердых растворов ZnSe_1–xTe_x, Zn_1–xCd_xSe, Zn_xCd_1–xS для лазеров с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116
27. Влияние экранированного кулоновского взаимодействия на спектры оптического усиления в CdS
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1084–1086
28. Сканируемые и непрерывные лазеры на основе GaSb с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  845–848
29. Лазерная ЭЛТ с автономным охлаждением активного элемента до криогенных температур
    
    Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1373–1376
30. УФ полупроводниковый лазер на ZnS с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  618–621
31. Ультрафиолетовый полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе ZnO
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  873–876
32. Сканирующий полупроводниковый лазер на основе Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, излучающий в синей области спектра
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  833–837
33. Использование точечного катода из LaB₆ в лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1699–1700
34. Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2211–2216
35. Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe
    
    Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2099–2102
36. Использование эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных из элементоорганических соединений, для лазеров с электронной накачкой
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1887–1888
37. Характеристики излучения лазерного экрана из CdS при 300 K
    
    Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2493–2500
38. Лазерные экраны из монокристаллических пленок ZnSe и ZnTe, выращенных на сапфире
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1380–1382
39. Влияние дислокаций на характеристики лазерных экранов из CdS
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  745–750
40. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
41. Исследование деградации лазерного экрана электронно-лучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1058–1062
42. Сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  603–604
43. О механизме генерации в лазерных экранах, выполненных из полупроводниковых соединений A^IIB^VI
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  189–196
44. О возможности снижения ускоряющего напряжения в лазерных электронно-лучевых трубках
    
    Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2624–2627
45. Применение лазерных электронно-лучевых трубок в проекционном телевидении
    
    Квантовая электроника, 5:9 (1978),  1911–1917
46. Исследование лазерной электронно-лучевой трубки в режиме сканирования
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  487–494
47. Получение генерации в телевизионном режиме работы лазерной электронно-лучевой трубки при комнатной температуре лазерного экрана
    
    Квантовая электроника, 4:10 (1977),  2246–2248
48. Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия
    
    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359
49. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdS_xSe_1–x, ZnSe
    
    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354
50. Получение телевизионного изображения с помощью лазерной электронно-лучевой трубки в режиме сканирования вдоль строки
    
    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1587–1588
51. Получение телевизионного изображения на большом экране с помощью лазерной электроннолучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2521–2523
52. Многоконтурный генератор импульсов высокого напряжения
    
    Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2506–2509
53. Лазерный экран из объемных монокристаллов сульфида и селенида кадмия
    
    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2083–2085
54. Динамика излучения полупроводникового лазера с продольным возбуждением электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1266–1267
55. Вынужденная синхронизация продольных мод в полупроводниковом лазере с электронной накачкой
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1264–1265
56. Электроннолучевая трубка с лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  534–541
57. Использование электроннолучевой трубки с полупроводниковым лазерным экраном для записи фазовых голограмм на фотопластических носителях
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  193–195
58. Запись голограмм электроннолучевой трубкой с лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  158–159
59. Исследование динамики излучения полупроводникового лазера типа «излучающее зеркало» с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  149–151
60. Восстановление голографического изображения излучением полупроводникового лазерного экрана
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  84–90
61. Мощный полупроводниковый квантовый генератор с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 1971, № 2,  92–93