Якубович Сергей Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перестраиваемый низкокогерентный источник света высокой спектральной яркости
   
   Квантовая электроника, 51:4 (2021),  287–292
2. Перестраиваемый полупроводниковый лазер с двумя управляемыми акустооптическими фильтрами во внешнем резонаторе
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  136–140
3. Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  931–935
4. Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами
   
   Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813
5. Перестраиваемый лазер на основе полупроводникового оптического усилителя красного диапазона спектра
   
   Квантовая электроника, 49:5 (2019),  493–496
6. Высокоэффективные поперечно-одномодовые суперлюминесцентные диоды красного диапазона спектра
   
   Квантовая электроника, 47:12 (2017),  1154–1157
7. Параметрическое усиление широкополосного излучения непрерывного суперлюминесцентного диода при пикосекундной накачке
   
   Квантовая электроника, 46:9 (2016),  811–814
8. Мощные высоконадёжные суперлюминесцентные диоды с тремя одномодовыми активными каналами
   
   Квантовая электроника, 46:7 (2016),  594–596
9. Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в "ближайшем" ИК диапазоне спектра
   
   Квантовая электроника, 45:8 (2015),  697–700
10. Поперечно-одномодовые суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра с непрерывной выходной мощностью до 100 мВт
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  903–906
11. Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм
    
    Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998
12. Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра
    
    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  751–756
13. Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963
14. Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680
15. Изменение выходных характеристик широкополосных суперлюминесцентных диодов в ходе продолжительной работы
    
    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  595–601
16. Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820 — 860 нм
    
    Квантовая электроника, 40:4 (2010),  305–309
17. Узкополосные двухпроходные суперлюминесцентные диоды с длиной волны излучения 1060 нм
    
    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  793–796
18. Двухсекционные широкополосные суперлюминесцентные диоды
    
    Квантовая электроника, 39:5 (2009),  421–424
19. Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 38:8 (2008),  744–746
20. Полупроводниковые оптические усилители для спектрального диапазона 1000—1100 нм
    
    Квантовая электроника, 38:7 (2008),  661–664
21. Мощный многомодовый суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 840 нм
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  996–1000
22. Влияние оптической обратной связи на выходные характеристики квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  443–445
23. Суперлюминесцентные диоды повышенной эффективности на основе гетероструктуры с квантовыми точками
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  331–333
24. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками
    
    Квантовая электроника, 36:6 (2006),  527–531
25. Перестраиваемый полупроводниковый лазер с акустооптическим фильтром во внешнем оптоволоконном резонаторе
    
    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  324–328
26. Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм
    
    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  315–318
27. Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 36:2 (2006),  111–113
28. Многоканальные сверхширокополосные источники излучения ближнего ИК диапазона для оптической когерентной томографии
    
    Квантовая электроника, 35:7 (2005),  667–669
29. Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя
    
    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  504–506
30. Широкополосный источник излучения на основе квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов для оптической когерентной томографии высокого разрешения
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  915–918
31. Мощные суперлюминесцентные диоды с неинжектируемыми выходными секциями
    
    Квантовая электроника, 34:3 (2004),  209–212
32. Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры
    
    Квантовая электроника, 34:3 (2004),  206–208
33. Широкополосные источники излучения в спектральной области 1550 нм на основе квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 33:6 (2003),  511–514
34. Сверхширокополосный мощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм
    
    Квантовая электроника, 33:6 (2003),  471–473
35. Исследование характеристик излучения маломощных суперлюминесцентных диодов в диапазоне температур -55°С...+93°С
    
    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  593–596
36. Двухпроходный суперлюминесцентный диод с клиновидным активным каналом
    
    Квантовая электроника, 32:2 (2002),  112–114
37. О возможности повышения концентрации и протяженности атомных ансамблей при лазерном охлаждении
    
    Квантовая электроника, 30:11 (2000),  1027–1030
38. Пикосекундные полупроводниковые лазеры с внешним волоконно-оптическим резонатором
    
    Квантовая электроника, 30:2 (2000),  158–160
39. Пассивная синхронизация мод многосекционного лазерного диода с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  103–108
40. Генерация пикосекундных импульсов видимого диапазона (GaIn)P-гетеролазером с неоднородным возбуждением
    
    Квантовая электроника, 23:8 (1996),  699–700
41. Динамика излучения многофункционального трехсекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  125–129
42. Cуперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  113–118
43. Спектральные характеристики одночастотных квантово-размерных гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1137–1140
44. Генерирование субнаносекундных оптических импульсов высокой энергии при прямой токовой модуляции гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 20:8 (1993),  758–760
45. Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением
    
    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286
46. Прямая импульсно-кодовая модуляция излучения мощных гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1383–1384
47. Глубокая амплитудная модуляция излучения гетеролазеров с зарощенной мезаструктурой в полосе частот до 5 ГГц
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  218–221
48. Фазированные интегральные решетки инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  1957–1994
49. Временная субструктура пикосекундных импульсов излучения гетеролазеров с пространственно-неоднородной инжекцией
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1713–1715
50. Регистрация субпикосекундной временной структуры импульсов излучения гетеролазеров с нелинейным поглотителем
    
    Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1305–1307
51. Спектрометр на основе инжекционных лазеров ближнего ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  853–857
52. Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1208–1212
53. Зависимость токового коэффициента частотной модуляции одномодовых полупроводниковых лазеров от постоянного тока инжекции и частоты модулирующего сигнала
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2318–2322
54. Разогрев электронов в инжекционном полупроводниковом лазере
    
    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  695–701
55. Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1059–1062
56. Условия получения и динамические параметры пикосекундных моноимпульсов излучения гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  1981–1983
57. Фазированная генерация излучения регулярной решетки активных симметричных мезаполосковых разветвителей на основе ДГС AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 14:9 (1987),  1737–1738
58. Генерация оптических моноимпульсов длительностью менее 10 пс двухкомпонентным гетеролазером
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1370–1372
59. Переходный процесс в инжекционном лазере с неквазифермиевской функцией распределения электронов
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  71–75
60. Источник оптического сигнала с высокочастотными биениями амплитуды на основе инжекционного лазера с частотной модуляцией и интерферометра
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2359–2361
61. Аналоговая частотная модуляция излучения одномодовых гетеролазеров спектрального диапазона 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1267–1269
62. Модуляция частоты излучения одномодового гомолазера током инжекции
    
    Квантовая электроника, 13:3 (1986),  606–611
63. Генерирование и регистрация пикосекундных оптических импульсов при прямой токовой модуляции инжекционного гетеролазера
    
    Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  862–865
64. Оптическое усиление (InGa)AsP-гетероструктуры в спектральном диапазоне 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1316–1317
65. Амплитудная модуляция излучения одночастотного инжекционного лазера гармоническим токовым сигналом
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1314–1316
66. Высокочастотные амплитудные шумы полосковых инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1116–1118
67. Управление пичковым режимом генерирования двухкомпонентного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  953–958
68. Узкополосный пикосекундный параметрический генератор света с инжекцией перестраиваемого по частоте излучения полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  403–404
69. Частотная модуляция излучения двухкомпонентного инжекционного лазера с составным резонатором
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1859–1862
70. Инжекционный лазерный усилитель бегущей волны на основе двойной (GaAl) As-гетероструктуры
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  375–381
71. О наблюдении сигналов магнитного резонанса с помощью линейно-поляризованного излучения перестраиваемого инжекционного лазера
    
    ЖТФ, 53:6 (1983),  1222–1224
72. Двухкомпонентный гетеролазер с оптическим управлением
    
    Квантовая электроника, 10:12 (1983),  2498–2500
73. Двухкомпонентный пространственно-неоднородный гетеролазер на (GaAl) As
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1332–1337
74. Влияние тепловых процессов на пороговые характеристики гетеролазера с пространственно-неоднородной инжекцией
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1030–1033
75. Магнитный резонанс атомов цезия при оптической накачке излучением одномодового инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  631–633
76. Спектральная линия усиления инжекционного гетеролазера из GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  598–602
77. Предпороговая оптическая связь между участками пространственно-неоднородного инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2310–2313
78. Определение параметров инжекционных лазерных усилителей на основе GaAlAs-гетероструктур по характеристикам суперлюминесцентного излучения
    
    Квантовая электроника, 9:6 (1982),  1264–1267
79. О форме D₂-линии цезия, наблюдаемой с помощью полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  386–388
80. Регулярный набор полосковых инжекционных лазеров в интегральном исполнении
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2216–2218
81. Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1095–1098
82. Бистабильный инжекционный гетеролазер непрерывного действия
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  880–882
83. Исследование двухкомпонентного инжекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2489–2491
84. Стационарные характеристики инжекционного квантового усилителя на основе $GaAs$ при узкополосяом входном сигнале
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2460–2466
85. Стационарная одномодовая генерация в инжекционном полупроводниковом лазере с неселективным резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1252–1256
86. Тонкопленочный лазер с двумерной дифракционной решеткой
    
    Квантовая электроника, 6:4 (1979),  838–841
87. Усиление узкополосного оптического сигнала в активном волноводе
    
    Квантовая электроника, 5:8 (1978),  1841–1843
88. Исследование тонкопленочного решеточного фильтра при наклонном падении излучения
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2025–2029
89. Лазеры с распределенной обратной связью (обзор)
    
    Квантовая электроника, 2:11 (1975),  2373–2398
90. Полупроводниковый лазер на GaAs с распределенной обратной связью и накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  1957–1962
91. Вывод излучения ПКГ с электронным возбуждением через дифракционную решетку
    
    Квантовая электроника, 2:3 (1975),  621–622
92. Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью
    
    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  163–165
93. Расчет стационарных характеристик многорезонаторного инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  173–176
94. Исследование многолучевого полупроводникового лазера с излучающей решеткой
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  169–172