RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сироткин Анатолий Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Изучение работоспособности нелинейного преобразователя на кристалле LiGaSe$_2$ с антиотражающими микроструктурами поверхности под действием наносекундного лазерного возбуждения

    Оптика и спектроскопия, 133:3 (2025),  267–273
  2. Лазеры на кристаллах Er:YAG, Er:Cr:YSGG и Ho:Yb:Cr:YSGG с диодной накачкой высокой мощности

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  597–603
  3. Акустооптические модуляторы мощного лазерного излучения на кристаллах KGW и KYW

    Квантовая электроника, 50:10 (2020),  957–961
  4. Управление спектральными параметрами ионов неодима в анизотропных кристаллах со структурой шеелита

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  570–576
  5. Мощный компактный лазер с сегментированной продольной накачкой связанных каналов генерации

    Квантовая электроника, 45:6 (2015),  508–510
  6. Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов

    Квантовая электроника, 44:1 (2014),  7–12
  7. Двухчастотный пикосекундный лазер на композитных кристаллах ванадатов с σ-поляризацией излучения

    Квантовая электроника, 43:7 (2013),  600–602
  8. Многоволновая УФ—ИК лазерная установка на основе композитных кристаллов ванадатов Nd:YVO4 — YVO4 вырезанных вдоль оси a, для σ-поляризации излучения

    Квантовая электроника, 42:6 (2012),  524–527
  9. Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов сo взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения

    Квантовая электроника, 42:5 (2012),  420–426
  10. Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

    Квантовая электроника, 42:3 (2012),  208–210
  11. Лазеры на кристаллах ванадатов с σ-поляризацией генерируемого излучения

    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  584–589
  12. Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси c

    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  802–806
  13. Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  938–940
  14. Квазитрехуровневый Nd3+:Gd0.7Y0.3VO4-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм

    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
  15. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd0.7Y0.3VO4-лазере с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
  16. Квазитрехуровневый Nd:GdVO4-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
  17. Генерация рентгеновского излучения из плазмы, создаваемой цугом импульсов регенеративного СО$_2$-усилителя

    Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1333–1335
  18. Лазерная генерация на ионах Ar II и Ne II с накачкой оптическим пробоем, создаваемым СО2-лазером

    Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1154–1155
  19. Является ли SPER-лазер рекомбинационным?

    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2049–2053
  20. Импульсно-периодический SPER-лазер на переходах атомов Cd

    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1598–1601
  21. Пространственно-временные характеристики SPER-лазера на переходах атомов Cd, Zn, In

    Квантовая электроника, 16:5 (1989),  952–955
  22. Формирование активной среды в лазерах на смесях инертных газов с накачкой оптическим пробоем

    Квантовая электроника, 12:12 (1985),  2389–2391
  23. Влияние режима накачки на лазерную генерацию в Не–Хе-плазме оптического пробоя

    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1757–1762
  24. CO2-лазер с перестраиваемой длительностью импульса излучения

    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1929–1931


© МИАН, 2026