Яроцкая Ирина Валентиновна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  66–70
2. Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  161–164
3. Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  65–68
4. Исследование динамики включения низковольтных InP-гомотиристоров
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  295–300
5. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
6. Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  636–640
7. Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al_xGa_{1– x}As/Al_yGa_{1– y}As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  362–366
8. Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181
9. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
10. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
11. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
    
    Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
12. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
13. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
14. Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  909–912
15. Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  120–124
16. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
    
    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
17. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
    
    Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511
18. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений
    
    Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17
19. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
20. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
21. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684


22. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
    
    УФН, 194:1 (2024),  98–105