Рябоштан Юрий Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  165–170
2. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
3. Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  883–886
4. Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  561–564
5. Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов
   
   Квантовая электроника, 52:6 (2022),  577–579
6. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
7. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
   
   Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
8. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
9. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
10. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP
    
    Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833
11. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
12. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
13. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
14. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
15. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами
    
    Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
16. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  100–103
17. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
18. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
19. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
    
    Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511
20. Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97
21. Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  247–250
22. Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs
    
    Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548
23. Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP
    
    Квантовая электроника, 36:10 (2006),  918–924
24. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм
    
    Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911