Асрян Левон Володяевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электронейтральность в полупроводниковых лазерах
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  500–504
2. Анализ устойчивости генерации в лазерах на квантовых ямах
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  684–692
3. Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  363–369
4. Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1229–1235
5. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
6. Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  522–528
7. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
8. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
9. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
10. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
11. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
12. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
13. Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1553–1557
14. Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  956–960
15. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме
    
    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  61–70
16. Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок
    
    Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805
17. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432
18. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
19. Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1067–1073
20. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1049–1053
21. Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1553–1559
22. Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  540–546
23. Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах
    
    Квантовая электроника, 35:12 (2005),  1117–1120