RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Соколова Зинаида Николаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Электронейтральность в полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  500–504
  2. Анализ устойчивости генерации в лазерах на квантовых ямах

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  684–692
  3. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

    Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
  4. Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1229–1235
  5. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
  6. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
  7. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
  8. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах

    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
  9. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
  10. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
  11. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры

    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
  12. Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1553–1557
  13. Подавление процесса делокализации носителей заряда в мощных импульсных полупроводниковых лазерах

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  10–16
  14. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
  15. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)

    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
  16. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
  17. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
  18. К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1377–1382
  19. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации

    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
  20. Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок

    Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805
  21. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
  22. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432
  23. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1339–1343
  24. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
  25. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
  26. Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1067–1073
  27. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257
  28. Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1553–1559
  29. Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри–Перо

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  672–676
  30. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
  31. Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  256–259
  32. Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1806–1812
  33. Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2124–2130
  34. Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1035–1039
  35. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
  36. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
  37. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
  38. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455
  39. Межзонная оже-рекомбинация в лазерных структурах на основе GaSb

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1803–1807
  40. Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1069–1076
  41. Расчеты времен оже-процессов в твердых растворах $p$-InGaAsP

    ЖТФ, 53:2 (1983),  315–319
  42. Оже-рекомбинация в вырожденной электронно-дырочной плазме твердых растворов InGaAsP

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  453–458

© МИАН, 2026