RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кучинский Владимир Ильич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование твердых растворов InPAs методом твердофазного замещения

    Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  49–52
  2. Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана

    Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  66–70
  3. Влияние длительности импульса накачки и фактора заполнения на мощностные характеристики квантово-каскадных лазеров

    Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  54–58
  4. Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  65–68
  5. Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb

    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  20–22
  6. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения

    Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
  7. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне

    ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
  8. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
  9. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
  10. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
  11. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
  12. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
  13. Генерация капельных квазибесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера

    Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019),  781–786
  14. Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре

    Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019),  445–448
  15. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
  16. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
  17. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21
  18. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм

    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
  19. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
  20. Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254
  21. Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре

    ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710
  22. Метаматериал для генерации разностной частоты в терагерцовом диапазоне

    Оптика и спектроскопия, 125:4 (2018),  560–563
  23. Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390
  24. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
  25. Генерация капельных бесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  72–78
  26. Генерация второй гармоники в гребенчатых волноводах в периодически поляризованном ниобате лития

    Квантовая электроника, 48:8 (2018),  717–719
  27. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники

    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683
  28. Получение ультракоротких мощных оптических импульсов от полупроводниковых лазеров за счет управления параметрами токовой накачки

    ЖТФ, 87:12 (2017),  1887–1891
  29. Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs

    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  17–23
  30. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
  31. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm

    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
  32. Генерация мощных ультракоротких оптических импульсов полупроводниковыми лазерами

    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  1–8
  33. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники

    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  40–48
  34. Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  984–988
  35. Манипулирование микрочастицами при помощи бесселевых пучков, полученных от полупроводниковых лазеров

    Письма в ЖТФ, 40:11 (2014),  53–59
  36. Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения

    Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  49–53
  37. Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  423–427
  38. Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  66–74
  39. Влияние насыщения усиления на ватт-амперную характеристику полупроводникового лазера

    Письма в ЖТФ, 38:13 (2012),  35–40
  40. Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  23–30
  41. О сверхфокусировке многомодовых полупроводниковых лазеров и светодиодов

    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  8–14
  42. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49
  43. Исследование пространственно-инвариантных пучков, полученных от полупроводниковых лазеров с широким полоском с торцевым выводом излучения

    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  22–30
  44. Генерация пикосекундных (${\tau=1.7}$ пс) импульсов излучения в InGaAsP/InP (${\lambda=1.535}$ мкм) гетеролазере со сверхбыстрым насыщающимся поглотителем

    Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  38–41
  45. Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP

    ЖТФ, 60:3 (1990),  123–128
  46. Скоростные свойства InGaAsP/InP ($\lambda=1.55$ мкм) РОС-лазеров с коротковолновой расслойкой

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  61–65
  47. Особенности заращивания профилированной поверхности волновода в InGaAsP/InP лазерах с РОС

    Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  5–9
  48. Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb

    Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  58–62
  49. Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1207–1213
  50. Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  47–51
  51. Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией добротности

    Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  6–9
  52. Внутренняя генерация второй гармоники в InGaAsP/InP ($\lambda= 1.55$ мкм) лазерах с раздельным ограничением

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  67–72
  53. РОС — генерация в InGaAsP/InP ($\lambda=1. 5{-}1.6$ мкм) лазерах с составным активным слоем

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1082–1088
  54. Особенности генерации в InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  267–273
  55. Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)

    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2196–2198
  56. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия

    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
  57. Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью

    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  601–604
  58. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
  59. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146
  60. Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1222–1226
  61. Показатель преломления твердых растворов $Ga\,In\,As\,P$ на длине волны лазерной генерации

    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  827–831
  62. Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  296–300
  63. Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  205–210
  64. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом

    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
  65. Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197
  66. Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников

    ЖТФ, 54:7 (1984),  1408–1410
  67. Генерация когерентного излучения и особенности волноводного ограничения в гетероструктурах GaSb$-$Ga$_{1-x}$In$_{x}$Bb$_{1-y}$As$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1081–1085
  68. Особенности поляризации когерентного излучения, генерируемого в многослойных гетероструктурах

    ЖТФ, 53:9 (1983),  1843–1845
  69. Поляризационные эффекты в гетеролазерах с распределенной обратной связью

    ЖТФ, 53:8 (1983),  1560–1567
  70. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом

    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
  71. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1047–1050
  72. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью и накачкой инжекционным гетеролазером

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1043–1046

  73. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ

    УФН, 194:1 (2024),  98–105

© МИАН, 2026